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硅量子点的制备工艺与光限幅性能的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与光电子领域不断探索创新的进程中，硅量子点凭借其独特的性质和广泛的应用前景，逐渐成为研究的焦点。硅，作为地球上储量丰富且在半导体工业中占据支柱地位的元素，本身无毒且具有良好的生物相容性。当硅材料的尺寸被限制在纳米尺度，形成硅量子点时，由于量子限域效应和表面效应，它展现出了与体硅截然不同的光学、电学和化学特性。

硅量子点的量子限域效应使得其电子态被量子化，能级结构发生显著变化，从而导致其光学性质对尺寸的高度依赖性。通过精确控制硅量子点的尺寸，可以实现其在可见光和近红外光谱范围内的发光，并且具有较高的量子产率。