InAlN_AlN_GaN异质结场效应晶体管可靠性的多维度解析与提升策略.docx

InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管可靠性的多维度解析与提升策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对电子器件的性能要求日益提高。在众多半导体器件中，氮化镓（GaN）基器件凭借其大的禁带宽度、高击穿电场、高电子饱和漂移速率等优良特性，成为了研究热点。InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管作为GaN基器件中的重要一员，在高频、高功率应用领域展现出巨大的潜力，如5G通讯、雷达、智能电网、新能源汽车以及数据中心等。

在5G通讯中，需要器件具备高频特性以实现高速数据传输，InAlN/AlN/GaN异质结场效应晶体管能够满足这一需求，有助于提升信