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2026半导体工艺工程师校招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中常用的光源是（）

A.紫外线B.红外线C.可见光D.激光

2.化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.光刻B.刻蚀C.薄膜沉积D.掺杂

3.以下哪种是常用的半导体材料（）

A.铜B.硅C.铝D.铁

4.离子注入的目的是（）

A.去除杂质B.改变材料导电性C.抛光表面D.沉积薄膜

5.湿法刻蚀的优点是（）

A.各向异性好B.选择性高C.设备简单D.以上都是

6.半导体制造中，晶圆清洗的主要目的是（）

A.去除表面杂质B.改变晶圆形状C.提高晶圆温度D.降低晶圆硬度

7.物理气相沉积（PVD）不包括（）

A.溅射B.蒸发C.化学镀D.离子镀

8.光刻工艺的关键步骤不包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.退火

9.半导体封装的主要作用是（）

A.保护芯片B.提高芯片速度C.降低芯片功耗D.改变芯片性能

10.以下哪种工艺用于在晶圆上制作金属互连（）

A.光刻B.刻蚀C.电镀D.氧化

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造的主要工艺流程包括（）

A.光刻B.刻蚀C.薄膜沉积D.掺杂

2.光刻工艺中的光刻胶具有以下特性（）

A.对特定波长光敏感B.可溶于特定溶剂C.硬度高D.导电性好

3.化学机械抛光（CMP）的作用有（）

A.平坦化晶圆表面B.去除表面氧化层C.提高表面光洁度D.改变晶圆尺寸

4.半导体工艺中常用的气体有（）

A.氮气B.氢气C.氧气D.氯气

5.离子注入过程中需要控制的参数有（）

A.离子能量B.离子剂量C.注入角度D.注入时间

6.湿法刻蚀的缺点有（）

A.各向同性B.选择性差C.污染大D.刻蚀速率慢

7.半导体封装的类型有（）

A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP

8.薄膜沉积工艺可分为（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.电镀D.化学镀

9.光刻工艺中的曝光方式有（）

A.接触式曝光B.接近式曝光C.投影式曝光D.电子束曝光

10.半导体工艺中的清洗方法有（）

A.湿法清洗B.干法清洗C.超声波清洗D.等离子清洗

判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。（）

2.光刻工艺中，曝光时间越长越好。（）

3.化学气相沉积只能沉积金属薄膜。（）

4.离子注入会对晶圆表面造成损伤。（）

5.湿法刻蚀比干法刻蚀的选择性高。（）

6.晶圆清洗不会影响半导体器件的性能。（）

7.物理气相沉积和化学气相沉积的原理相同。（）

8.半导体封装不会影响芯片的散热性能。（）

9.光刻胶在曝光后性质会发生改变。（）

10.化学机械抛光主要用于去除晶圆表面的杂质。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本步骤。

2.化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）的主要区别是什么？

3.离子注入的主要优点有哪些？

4.半导体封装的主要作用是什么？

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论光刻工艺中曝光精度对半导体器件性能的影响。

2.分析湿法刻蚀和干法刻蚀在实际应用中的优缺点。

3.探讨提高半导体工艺中薄膜沉积质量的方法。

4.谈谈半导体封装技术的发展趋势。

答案

单项选择题

1.A

2.C

3.B

4.B

5.B

6.A

7.C

8.D

9.A

10.C

多项选择题

1.ABCD

2.AB

3.AC

4.ABCD

5.ABC

6.AC

7.ABCD

8.AB

9.ABC

10.ABCD

判断题

1.√

2.×

3.×

4.√

5.×

6.×

7.×

8.×

9.√

10.×

简答题

1.光刻基本步骤：涂胶，在晶圆表面涂光刻胶；曝光，用特定波长光照射光刻胶；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶。

2.区别：CVD是通过化学反应沉积薄膜，PVD是物理方法使材料沉积，CVD成膜质量好，PVD沉积速率快。

3.优点：精确控制杂质浓度和深度；可低温操作，减少热影响；能实现大面积均匀