- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
PAGE1
PAGE1
17.光电二极管仿真中的物理模型
17.1基本物理模型
光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件。其工作原理基于光电效应,即当光照射到半导体材料上时,材料内部的电子从价带跃迁到导带,形成自由电子和空穴对。这些自由载流子在外加电场的作用下产生电流,从而实现光信号到电信号的转换。在光电二极管仿真中,我们需要建立合适的物理模型来准确描述这些过程。
17.1.1能带结构
光电二极管的能带结构是理解其工作原理的基础。能带结构描述了半导体材料中电子的能量状态。对于光电二极管,通常使用的材料是Si(硅)或GaAs(砷化镓)。这些材料的能带结构可以用以下公式表
您可能关注的文档
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(1).半导体基础理论.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(3).MOSFET工作模式与特性分析.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(4).MOSFET模型介绍.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(5).仿真软件概述与操作.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(6).MOSFET静态特性仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(7).MOSFET动态特性仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(8).MOSFET器件参数提取方法.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(10).MOSFET器件温度效应仿真.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(11).高级MOSFET模型.docx
- 半导体器件仿真:MOSFET器件仿真_(12).MOSFET器件优化设计.docx
原创力文档


文档评论(0)