半导体器件仿真：纳米器件仿真_（8）.纳米器件特性仿真.docx

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纳米器件特性仿真

1.器件尺寸效应

1.1短沟道效应

在纳米尺度下，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的沟道长度减小，导致短沟道效应（ShortChannelEffect,SCE）更加显著。短沟道效应主要包括阈值电压降低、亚阈值斜率变差、漏源电流控制能力下降等问题。这些效应会严重影响器件的性能和可靠性。

1.1.1阈值电压降低

随着沟道长度的减小，栅极对沟道的控制能力减弱，导致阈值电压（ThresholdVoltage,Vt

原理：-表面电势模型：在短沟道MOSFET中，表面电势的分布不再均匀，而是从栅极向漏极逐渐降低。