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2026半导体工艺工程师招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种光刻技术分辨率最高？

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

2.硅片清洗常用的试剂是？

A.酒精

B.王水

C.RCA清洗液

D.硫酸

3.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.刻蚀

B.掺杂

C.薄膜沉积

D.光刻

4.以下哪种掺杂方式精度最高？

A.离子注入

B.扩散

C.溅射

D.蒸发

5.半导体制造中常用的衬底材料是？

A.玻璃

B.陶瓷

C.硅

D.铜

6.光刻工艺中，光刻胶的作用是？

A.保护硅片

B.形成图形

C.提高导电性

D.散热

7.刻蚀工艺分为干法和湿法，干法刻蚀的优点是？

A.成本低

B.各向异性好

C.设备简单

D.对环境友好

8.以下哪种薄膜常用于栅极绝缘层？

A.氮化硅

B.二氧化硅

C.多晶硅

D.铝

9.半导体制造中的外延生长是指？

A.在硅片表面生长一层新的晶体

B.对硅片进行抛光

C.对硅片进行清洗

D.在硅片上打孔

10.以下哪种设备用于检测硅片表面缺陷？

A.光刻机

B.刻蚀机

C.扫描电子显微镜

D.化学气相沉积设备

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体工艺中的光刻步骤包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

2.常见的半导体掺杂元素有？

A.硼

B.磷

C.砷

D.镓

3.化学机械抛光（CMP）的作用有？

A.平整硅片表面

B.去除表面杂质

C.提高硅片硬度

D.改善硅片导电性

4.半导体制造中的洁净室要求？

A.温度恒定

B.湿度恒定

C.低尘埃颗粒

D.高气压

5.以下属于干法刻蚀的方法有？

A.等离子体刻蚀

B.反应离子刻蚀

C.溅射刻蚀

D.化学刻蚀

6.半导体工艺中常用的薄膜沉积方法有？

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电镀

7.影响光刻分辨率的因素有？

A.光源波长

B.光刻胶性能

C.光学系统数值孔径

D.曝光时间

8.半导体器件制造中的隔离技术有？

A.浅沟槽隔离（STI）

B.局部氧化隔离（LOCOS）

C.多晶硅隔离

D.金属隔离

9.半导体工艺中的测试包括？

A.电学测试

B.光学测试

C.机械性能测试

D.化学分析测试

10.以下哪些是半导体工艺工程师需要具备的技能？

A.熟悉半导体工艺流程

B.掌握半导体设备操作

C.具备数据分析能力

D.了解半导体材料特性

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一。（）

2.湿法刻蚀比干法刻蚀的各向异性更好。（）

3.离子注入可以精确控制掺杂的剂量和深度。（）

4.化学气相沉积只能用于沉积二氧化硅薄膜。（）

5.半导体制造中的洁净室等级越高，尘埃颗粒越少。（）

6.光刻胶的感光度越高，曝光时间越长。（）

7.外延生长的晶体结构与衬底晶体结构可以不同。（）

8.化学机械抛光可以同时实现材料去除和表面平整。（）

9.半导体工艺中的测试主要是为了检测成品的外观缺陷。（）

10.半导体工艺工程师只需要关注工艺本身，不需要了解设备操作。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本流程。

2.离子注入和扩散掺杂各有什么优缺点？

3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

4.半导体制造中洁净室的作用是什么？

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论半导体工艺中光刻技术的发展趋势。

2.如何提高半导体器件的性能和可靠性？

3.分析半导体工艺中薄膜沉积质量的影响因素。

4.作为半导体工艺工程师，如何应对工艺中的突发问题？

答案

单项选择题

1.D

2.C

3.C

4.A

5.C

6.B

7.B

8.B

9.A

10.C

多项选择题

1.ABC

2.ABCD

3.AB

4.ABC

5.ABC

6.ABC

7.ABC

8.AB

9.ABCD

10.ABCD

判断题

1.√

2.×

3.√

4.×

5.√

6.×

7.×

8.√

9.×

10.×

简答题

1.光刻基本流程：涂光刻胶、前烘、曝光、显影、后烘，通过光刻将掩膜版图形转移到硅片上。

2.离子注入优点是精确控制，缺点是有损伤；扩散掺杂优点是设备简单，缺点是精度低、高温影响大。

3.CMP原理是化学腐蚀和机械研磨结合，通过抛光液化学作用和磨粒机械作用去除材料，实现表面平整。

4.洁净室