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2025年半导体芯片制造工协作考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.2025年某12英寸晶圆厂采用N2.5制程（2.5nm）生产逻辑芯片，其光刻工序中EUV光刻机（TWINSCANNXE:5800）的单次曝光覆盖区域（ShotSize）较上一代设备提升15%，主要目的是：

A.降低单次曝光能量消耗

B.减少晶圆表面热累积

C.提高每小时晶圆处理量（WPH）

D.优化套刻精度（Overlay）

2.在FinFET结构的源漏区形成过程中，若磊晶（Epitaxy）工序发现部分晶圆存在“鸟嘴”缺陷（BirdsBeak），协作团队应优先核对的前工序是：

A.浅沟槽隔离（STI）化学机械抛光（CMP）后的表面平整度

B.多晶硅栅极（PolyGate）刻蚀后的侧墙轮廓

C.离子注入（IonImplant）时的剂量均匀性

D.清洗工序中HF溶液的浓度与浸泡时间

3.某300mm晶圆在CMP（化学机械抛光）后，量测发现中心区域膜厚比边缘薄8nm（目标偏差±5nm），设备工程师与工艺工程师协作排查时，首先应确认的参数是：

A.抛光垫（Pad）的使用次数与表面粗糙度

B.研磨液（Slurry）的流量分配（中心/边缘比例）

C.晶圆承载头（CarrierHead）的压力分布（ZonePressure）

D.后清洗工序中去离子水（DIW）的冲洗角度

4.2025年主流存储芯片（如3DNAND）制造中，高深宽比（HAR）接触孔刻蚀（ContactEtch）的关键协作点是：

A.光刻胶（PR）厚度与刻蚀选择比的匹配

B.等离子体源（PlasmaSource）功率与偏压的动态调整

C.刻蚀终点检测（EPD）系统与薄膜沉积工序的膜厚数据共享

D.清洗工序中兆声波（Megasonic）频率与刻蚀残留物的兼容性

5.当晶圆在离子注入（IonImplant）后，量测发现注入剂量偏差达+12%（目标±5%），设备、工艺、量测三团队协作时，需优先验证的是：

A.离子源（IonSource）的灯丝寿命与束流稳定性

B.扫描电磁铁（ScannerMagnet）的磁场均匀性

C.量测设备（如四探针）的校准状态与测试点分布

D.晶圆传送过程中机械手臂（Robot）的定位精度

6.某批次晶圆在金属互联（BEOL）的铜电镀（CuElectroplating）后，检测到局部空洞（Void）缺陷，协作排查时，工艺团队应重点与哪个工序核对数据？

A.扩散阻挡层（BarrierLayer）的PVD/CVD沉积厚度与连续性

B.光刻工序中曝光能量与显影时间的匹配

C.刻蚀工序中铜互连线的线宽均匀性

D.CMP工序中抛光压力与终点检测时间

7.2025年先进封装（如CoWoS、InFO）中，晶圆级键合（WaferBonding）的关键协作项是：

A.键合前表面清洗的颗粒（Particle）控制与亲水性处理

B.键合设备的温度均匀性与压力分布

C.键合后对准精度（AlignmentAccuracy）的量测方法

D.以上均需跨工序协作确认

8.当光刻工序发现套刻误差（OverlayError）在X方向超规（目标±1.5nm，实测+2.1nm），光刻工程师应首先与哪个岗位核对数据？

A.量测工程师（确认量测设备的校准与测试点选择）

B.工艺整合工程师（PIE，确认前层工艺的膜厚均匀性）

C.设备工程师（确认光刻机的工作台（Stage）热稳定性）

D.以上均需同步协作

9.某PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备在沉积SiO?薄膜时，膜厚均匀性（Within-WaferUniformity）从1.2%劣化至3.5%，设备与工艺团队协作排查的第一步是：

A.检查气体流量控制器（MFC）的响应时间与校准状态

B.验证等离子体射频（RF）功率的匹配网络（MatchingNetwork）

C.确认反应腔室（Chamber）的温度传感器（Thermocouple）是否异常

D.核对上批次晶圆的工艺配方（Recipe）是否被误修改

10.在DRAM芯片的电容（Capacitor）制造中，高K介质（如HfO?）沉积后，若漏电流（LeakageCurrent）超标，协作团队需重点分析的是：

A.沉积温度与前驱体（Precursor）流量的匹配

B.后处理（如快速热退火RTA）的温度与时间

C.刻蚀工序中电容孔的轮廓（Profile）与深宽比

D.以上均需跨工