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清华大学832半导体器件与电子电路考研真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

简述半导体中电子和空穴的漂移电流与扩散电流的区别。在室温下，硅的禁带宽度Eg=1.12eV，若要产生本征激发，电子从价带跃迁到导带所需的最小能量是多少电子伏特？n型半导体中掺入的杂质原子多余的电子通常在什么能级上？

二、

一个理想的PN结，在T=300K时，其内建电势为0.6V。若外加电压V=0.7V（正向偏置）和V=-2V（反向偏置），分别定性画出流过PN结的电流随外加电压变化的示意图（无需标明具体数值）。简述开启电压和反向饱和电流的概念，并说明它们主要受哪些因素影响。

三、

一个双极结型晶体管（BJT）工作在放大区，其发射结正向偏置，集电结反向偏置。请解释为何这种偏置方式能实现电流放大。简述BJT的三个工作区域（截止区、放大区、饱和区）的定义。在放大区，描述基区电流、集电极电流和发射极电流之间的关系。

四、

简述N沟道增强型MOSFET（NMOS）的工作原理。当其栅极电压VGS小于开启电压Vth时，晶体管处于什么状态？为什么？当NMOS管工作在饱和区时，其输出特性曲线（ID-VDS曲线）的特点是什么？

五、

简述BJT的混合π模型的物理意义。在低频小信号交流分析中，为什么通常将电容视为开路（电容视为短路的前提是什么）？在共射放大电路中，引入发射极电阻Re的主要目的是什么？

六、

什么是多级放大电路？与单级放大电路相比，它通常在哪些方面有所改善？简述直接耦合放大电路和阻容耦合放大电路的主要区别和优缺点。

七、

放大电路的频率响应主要受到哪些元件的影响？简述极点对放大电路幅频响应的影响。一个单极点放大电路，其低频段的电压增益为Ao=100dB，下限截止频率fL=10Hz。当输入信号频率f=1kHz时，其实际电压增益约为多少分贝？（假设在高频区增益为Ao）

八、

什么是负反馈放大电路？简述负反馈对放大电路增益、输入电阻、输出电阻和带宽的影响。试判断图1所示电路的反馈类型（电压串联/电压并联/电流串联/电流并联），并说明理由。（此处假设有图1电路图，但实际输出时不提供）

九、

功率放大电路的主要目的是什么？与电压放大电路相比，功率放大电路对器件的工作状态和效率有何不同要求？简述乙类互补对称功率放大电路的工作原理及其主要缺点。

十、

简述直流稳压电源的基本组成（至少列出三个主要部分）。在由硅稳压管组成的简单稳压电路中，若稳压管DZ的稳定电压为5V，其最小稳定电流为5mA，最大稳定电流为50mA，为使其正常工作，流过限流电阻R的电流范围应是多少？假设输入电压Vi=12V。

十一、

运算放大器工作在线性区时，通常利用其哪些重要特性（如“虚短”、“虚断”）？试分别写出反相比例运算电路和同相比例运算电路的电压增益表达式，并说明其输入电阻和输出电阻的性质。

十二、

简述运算放大器工作在非线性区（饱和区）时的特点。试画出反相输入的比较器电路图，并定性说明其输出电压Uo如何随输入电压Ui的变化而变化（假设运放正电源为+15V，负电源为-15V）。

试卷答案

一、

漂移电流是由载流子在电场作用下定向运动形成的，通常在反向偏置下占主导；扩散电流是由载流子浓度梯度驱动的随机运动形成的，通常在正向偏置下占主导。室温下，硅的禁带宽度Eg=1.12eV，电子从价带跃迁到导带所需的最小能量即为禁带宽度，为1.12eV电子伏特。n型半导体中掺入的五价杂质原子（如磷、砷），其多余的电子通常在导带中；或者更精确地说是占据在禁带中靠近导带边缘的杂质能级上。

二、

（示意图文字描述）正向偏置时，电流随电压增大而迅速增大（指数级增长），曲线陡峭，且在V=0.7V附近电流开始显著增大（对应开启电压）。反向偏置时，电流很小（接近反向饱和电流），且随反向电压增大而缓慢减小，甚至可能反向击穿时急剧增大。开启电压是PN结正向导通时所需的最小正向电压（硅约0.7V）。反向饱和电流是在零或很小正向电压下流过PN结的微小电流，受温度影响较大，与少数载流子浓度有关。它们主要受半导体材料（禁带宽度）、温度和掺杂浓度影响。

三、

放大区实现电流放大的核心在于：发射结正向偏置使大量多数载流子（电子）注入基区，这些注入的电子只有少数在基区与空穴复合，大部分能够扩散到反向偏置的集电结附近，被集电结内电场收集形成集电极电流IC。由于发射极电流IE=IB+IC，且在放大区IB远小于IC，因此IC近似等于IE，表现出电流放大作用。BJT三个工作区域：截止区：发射结反偏或零偏，集电结反偏，IB≈0，IC≈0，无放大作用；放大区：发射结正偏，集电结反偏，IC=βIB+ICEO，实现电流放大；饱和区：发射结正偏，集电结也正偏（或零偏），此时IC不再受IB控制，而是由外电路