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微电子制造工艺仿真：掺杂工艺仿真_（11）.掺杂工艺仿真参数设置.docx

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    掺杂工艺仿真参数设置

    1.掺杂浓度设置

    掺杂浓度是掺杂工艺仿真的关键参数之一，直接影响到半导体器件的电学性能。在仿真软件中，掺杂浓度通常以每立方厘米的原子数（atoms/cm3）或每立方厘米的电子浓度（cm?3）来表示。掺杂浓度的设置需要考虑到器件的类型、工作环境以及预期的性能指标。

    1.1掺杂浓度的物理意义

    掺杂浓度是指在半导体材料中引入的杂质原子的数量。这些杂质原子可以是施主（n型掺杂）或受主（p型掺杂），它们会改变半导体的电导率。具体来说，施主杂质会提供额外的自由电子，增加半导体的电子浓度；受主杂质会捕获自由电子，增加半导体的空穴浓度。

    1.2

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