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微电子器件公式：
部分物理常数：
第1章 半导体器件基本方程
1.泊松方程
2.电流密度方程3.电荷控制方程
第2章 PN结
2.1PN结的平衡状态
1.平衡多子2.平衡少子
3.内建电势4.最大电场强度
5.N区耗尽区宽度
6.P区耗尽区宽度
7.总耗尽区宽度
2.2PN结的直流电流电压方程
1.在N型区与耗尽区的边界处（即处）少子浓度
在P型区与耗尽区的边界处（即–处）少子浓度
2.PN结总的扩散电流密度
3.薄基区二极管小子分布关系：
2.4PN结的击穿
1.雪崩倍增因子2.雪崩击穿近似计算
3.突变结果的临界电场
4.突变结外加反向电压时的最大电场强度
5.突变结果的雪崩击穿电压
2.5PN结的势垒电容
2.6PN结的交流小信号特性与扩散电容
1.PN结的直流增量电导2.PN结的扩散电容
第3章双极结型晶体管
3.1双极结型晶体管基础电流放大系数关系：
3.2均匀基区晶体管的电流放大系数
1.基区输运系2.基区度越时间
3.基区少子寿命4.注入效率
5.共基极电流放大系数
6.共发射极电流放大系数
7.异质结双极晶体管（HBT）
3.4双极晶体管的直流电流电压方程
1.埃伯斯－莫尔方程
2.共发射极电流方程
3.厄尔利电压
4.共发射极增量输出电阻5.均匀基区厄尔利电压
3.5双极晶体管的反向特性
1.浮空电势2.基区穿通电压
3.击穿电压(共基极)（共发射极）
3.6基极电阻
3.8电流放大系数与频率的关系
1.特征频率
3.10功率增益和最高振荡频率
1.最大功率增益2.高频优值
3.最高振荡频率
第5章绝缘栅场效应晶体管
5.2MOSFET的阈电压
1.P型衬底的费米势N型衬底
2.阈值电压
5.3MOSFET的直流电流电压方程
1.电流电压方程
5.5MOSFET的直流参数与温度特性
1.通导电阻
5.6MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性
1.跨导2.漏源电导
3.跨导的截止角频率
4.本征最高工作频率
5.高频功率增益为
6.最高振荡频率
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