半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationof“Assessmentofthegeometryofthenear-edgeregionofsemiconductorwafers—Part1:Heightbasedradialsecondderivative(ZDD)”

摘要

随着半导体制造技术向更小线宽和更大晶圆直径演进，晶片近边缘区域（通常指边缘30mm环形带）的几何形态质量已成为制约集成电路（IC）成品率与性能的关键因素。本报告围绕国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》的立项背景、核心内容及行业意义展开系统阐述。该标准旨在建立一种基于高度数据径向二阶导数的定量评价方法，以精确表征晶片近边缘区域的局部形貌变化，填补国内在该领域标准化工作的空白。报告详细分析了标准制定的技术必要性，源于传统整体平整度参数（如TTV、GBIR）无法有效反映近边缘因加工“边缘效应”导致的复杂形变。本标准不仅直接服务于8-12英寸硅抛光片、外延片及SOI片的质量控制，其方法原理亦前瞻性地适用于碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）等宽禁带半导体材料晶片，为产业链上游材料的高精度检测提供了统一、科学的技术依据。本标准的制定与实施，对提升我国高端半导体衬底材料的自主供给能力、支撑先进制程技术发展、增强国际竞争力具有重要的战略价值和现实意义。

关键词：半导体晶片；近边缘区域；几何形态；高度径向二阶导数；ZDD；标准化；质量控制

Keywords:Semiconductorwafer;Near-edgeregion;Geometry;Heightbasedradialsecondderivative;ZDD;Standardization;Qualitycontrol

正文

一、立项背景与目的意义

半导体产业是信息技术产业的基石，而半导体硅片作为集成电路最主要的衬底材料，其几何形态的完美性直接决定了后续光刻、薄膜沉积等工艺的精度与最终芯片的良率。随着摩尔定律的持续推进，硅片直径从200mm（8英寸）向300mm（12英寸）乃至450mm迈进，同时集成电路特征尺寸不断微缩至纳米级别。这一发展趋势对硅片的全局及局部几何参数提出了近乎苛刻的要求。

其中，晶片的近边缘区域（业界通常定义为距离晶片边缘约30mm的环形区域）的质量问题尤为突出。这主要归因于主流硅片制备工艺（如研磨、化学机械抛光CMP、刻蚀）固有的“边缘效应”。在这些工艺过程中，晶片边缘区域的材料去除率或反应速率与中心区域存在差异，导致近边缘区域在厚度、平整度、表面形貌等方面更难以控制，易出现局部翘曲、塌边或隆起等缺陷。这些微观几何形态的异常，在后续超精密光刻工艺中会引发聚焦误差、套刻偏差，严重降低芯片的成品率。

为应对这一产业挑战，国际半导体设备与材料协会（SEMI）在2006年至2010年间，针对300mm硅抛光片、外延片及SOI片，陆续发布了一系列评价近边缘区域几何形态的标准（如SEMIM69、M70等），通过定义不同的测试区域和算法（如ROA、ESFQR、ESBIR等），首次系统性地量化了近边缘区域的几何质量参数。这些国际标准的建立，为全球半导体供应链提供了统一的质量对话语言和验收依据。

在我国大力发展集成电路产业、力争实现关键材料自主可控的国家战略背景下，建立自主的半导体晶片近边缘几何形态评价标准体系至关重要。本标准项目《半导体晶片近边缘几何形态评价第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》的立项，旨在：

1.填补国内标准空白：系统引进并本土化国际先进评价方法，结束国内在该领域依赖企业自有标准或直接引用国际标准的局面。

2.支撑产业技术升级：为国内8-12英寸及更大尺寸高端硅片的研发、生产与质量控制提供权威、统一的技术规范，直接助力我国半导体材料产业突破质量瓶颈，满足28纳米及以下先进制程的工艺需求。

3.具备前瞻性与扩展性：考虑到第三代半导体（如碳化硅、氮化镓）和化合物半导体（如磷化铟、砷化镓）晶片正朝着大尺寸化快速发展，其加工与检测面临相似挑战。本标准虽主要针对硅片，但其核心方法原理——基于高度数据的数学分析——具有普适性。将标准范围界定为“半导体晶片”，而非仅限于“硅片”，避免了未来同类标准的重复立项，为其他半导体材料晶片的评价预留了技术接口，体现了标准制定的前瞻性思维。

二、范围与主要技术内容

1.范围

本标准规定了采用高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片近边缘区域几何形态的原理、测试设备