半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

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《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》标准立项与发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardizationProject:“Semiconductordevices—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices—Part3:Testmethodfordefectsusingphotoluminescence”

摘要

本报告旨在系统阐述国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》的立项背景、核心内容、技术价值及其对行业发展的深远意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高压、高频、高温应用场景中展现出不可替代的优势。然而，SiC同质外延片中的晶体缺陷是制约器件性能、成品率及长期可靠性的关键因素。本标准的制定，等同采用国际电工委员会（IEC）标准IEC63068-3:2020，旨在建立一套统一、科学、无损的光致发光（PL）检测方法，用于精确识别与表征外延片中的基平面位错、堆垛层错、多型包裹体等多种缺陷。报告详细分析了该标准在响应国家新材料产业政策、补齐产业链关键环节检测短板、推动国内SiC产业与国际先进水平接轨方面的重要作用。通过规范测试条件、参数、步骤与判据，本标准将为材料研发、生产质控、器件制造及供应链管理提供权威的技术依据，有力促进我国宽禁带半导体产业的健康、高质量发展。

关键词

碳化硅外延片；SiC；光致发光检测；无损检测；晶体缺陷；标准化；功率器件；第三代半导体

SiliconCarbideEpitaxialWafer;SiC;PhotoluminescenceTesting;Non-destructiveTesting;CrystalDefects;Standardization;PowerDevices;WideBandgapSemiconductor

正文

一、立项背景与战略意义

碳化硅（SiC）材料因其宽禁带、高临界击穿电场、高热导率及高电子饱和漂移速率等卓越的物理特性，成为制备高压、大功率、高频、高温半导体器件的理想衬底材料，被广泛应用于新能源汽车电驱系统、充电桩、光伏逆变器、工业电机驱动及轨道交通等领域，属于国家战略性新兴产业中的关键先进半导体材料。

国家层面高度重视碳化硅材料的标准化与产业化发展。原工业和信息化部等部门联合发布的《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域明确提出了建立碳化硅相关标准体系的任务。《新材料产业发展指南》亦将宽禁带半导体材料列为重点发展方向。此外，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》将“碳化硅外延片”列入关键战略材料清单，凸显了其在产业链中的核心地位。

在碳化硅产业链中，同质外延片是连接单晶衬底与最终功率器件的关键桥梁。外延层的质量直接决定了器件的电学性能和可靠性。SiC同质外延片中存在的各类晶体缺陷，如基平面位错（BPD）、各类堆垛层错（SF）、多型包裹体等，不仅是导致器件良率下降的主要原因，更是影响器件长期工作稳定性和寿命的关键因素。因此，建立精确、高效、无损的缺陷检测与识别方法，对于材料制备工艺的优化、产品质量的客观评价、器件设计的可靠性保障以及整个行业的规范化发展具有至关重要的意义。

光致发光（PL）检测法作为一种非接触、非破坏性的光学表征技术，通过激光激发材料产生特征发光，能够灵敏地探测SiC外延层中的多种缺陷态，并提供缺陷类型、密度及分布的空间信息。它与其它光学检测方法（如本系列标准其他部分可能涉及的显微拉曼、阴极荧光等）互为补充，能够针对不同类型缺陷或对同类缺陷提供多维度的表征数据，已成为国内外SiC外延材料研究与产业化质量控制中不可或缺的核心检测手段。

基于以上背景，制定《缺陷的光致发光检测方法》国家标准，等同采用国际权威标准IEC63068-3:2020，不仅能够填补国内在该项关键检测技术标准上的空白，实现与国际先进技术的同步，更能为国内SiC外延材料的生产、应用、研发及贸易提供统一、权威的技术判据，从而有力推动我国碳化硅产业的技术进步和市场竞争力提升。

二、标准范围与主要技术内容

本标准是系列标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的第三部分，专门规定了用于功率器件的SiC同质外延片中缺陷的光致发光检测方法。

1.标准范围：

本标准适用于