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sic mosfet的动态特性分析.pdf

sic mosfet的动态特性分析.pdf

    摘要与硅、砷化镓相比，碳化硅作为第三代半导体材料主要成员之一，具有宽禁

    带、高热导率、高电子饱和漂移速率等特性。以SiCMOSFET为例，开关频率高、耐高温和低

    导通电阻等特性使得SiCMOSFET深受高电压大功率开关设备的青睐。

    本文对SiCMOSFET的静态和动态特性及开关特性进行分析，通过分析来选取论文研究所需要

    的SiCMOSFET型号。到目前为止，国内SiCMOSFET方面还处于研究初阶段，并没有非常成熟的驱

    动电路。本文围绕所选型号的

    SiCMOSFET进行驱动电路设计，以期望使SiCMOSFET得到理想的

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