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半导体制造试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中常用的衬底材料是（）

A.硅B.铜C.铝

答案：A

2.光刻工艺中用于曝光的光源不包括（）

A.紫外光B.可见光C.X射线

答案：B

3.蚀刻的目的是（）

A.生长薄膜B.去除材料C.掺杂

答案：B

4.下列哪种不是常用的掺杂方法（）

A.扩散B.离子注入C.蒸镀

答案：C

5.半导体器件中，PN结的主要特性是（）

A.单向导电性B.双向导电性C.绝缘性

答案：A

6.化学气相沉积的英文缩写是（）

A.PVDB.CVDC.MBE

答案：B

7.硅片清洗常用的试剂是（）

A.盐酸B.硫酸C.氢氟酸

答案：C

8.用于测量硅片表面平整度的设备是（）

A.光刻机B.原子力显微镜C.刻蚀机

答案：B

9.集成电路制造中的布线材料主要是（）

A.硅B.钨C.铁

答案：B

10.下列属于半导体制造前道工序的是（）

A.封装B.光刻C.测试

答案：B

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造工艺包含以下哪些步骤（）

A.光刻B.蚀刻C.薄膜生长D.掺杂

答案：ABCD

2.常用的光刻技术有（）

A.接触式光刻B.接近式光刻C.投影式光刻

答案：ABC

3.蚀刻工艺可分为（）

A.湿法蚀刻B.干法蚀刻C.激光蚀刻

答案：AB

4.以下属于半导体材料的有（）

A.硅B.锗C.砷化镓

答案：ABC

5.半导体制造中的薄膜类型包括（）

A.氧化硅薄膜B.氮化硅薄膜C.金属薄膜

答案：ABC

6.离子注入的优点有（）

A.精确控制掺杂浓度B.低温工艺C.均匀性好

答案：ABC

7.硅片清洗的目的有（）

A.去除杂质B.去除有机物C.去除金属离子

答案：ABC

8.半导体制造中用到的光刻胶分为（）

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.中性光刻胶

答案：AB

9.测量半导体器件电学性能的参数有（）

A.电流B.电压C.电阻

答案：ABC

10.半导体封装的形式有（）

A.引脚式封装B.表面贴装封装C.球栅阵列封装

答案：ABC

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。（）

答案：对

2.光刻的分辨率越高，制造的芯片性能越差。（）

答案：错

3.湿法蚀刻比干法蚀刻精度更高。（）

答案：错

4.掺杂可以改变半导体的电学性能。（）

答案：对

5.化学气相沉积只能生长无机薄膜。（）

答案：错

6.硅片表面的粗糙度对器件性能没有影响。（）

答案：错

7.离子注入过程中，离子能量越高越好。（）

答案：错

8.光刻胶在曝光后会发生化学变化。（）

答案：对

9.半导体制造中，测试工序在封装之后。（）

答案：错

10.金属互连层在半导体器件中只起到机械支撑作用。（）

答案：错

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本步骤。

答案：光刻基本步骤为：在硅片表面涂覆光刻胶，通过掩膜版对光刻胶进行曝光，使光刻胶发生光化学反应，然后进行显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶，从而将掩膜版图案转移到硅片上。

2.说明掺杂对半导体性能的影响。

答案：掺杂可改变半导体的导电类型和电导率。如掺入施主杂质，形成N型半导体，电子为多数载流子；掺入受主杂质，形成P型半导体，空穴为多数载流子，进而改变其电学性能用于制造器件。

3.简述化学气相沉积的原理。

答案：化学气相沉积是利用气态的先驱反应物，在加热的衬底表面发生化学反应，生成固态物质并沉积在衬底上形成薄膜。先驱反应物在气相中传输到衬底表面，经吸附、反应、脱附等步骤形成所需薄膜。

4.列举两种半导体制造中常用的清洗方法及作用。

答案：一是RCA清洗，可去除硅片表面的有机物、金属离子和颗粒杂质等；二是稀释的氢氟酸清洗，主要去除硅片表面的自然氧化层，保证硅片表面洁净利于后续工艺。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论半导体制造技术不断发展对电子产品的影响。

答案：半导体制造技术发展使电子产品性能提升，如处理器速度加快、存储容量增大；尺寸变小，实现设备轻薄化；成本降低，促进电子产品普及，推动了通信、计算机等多领域发展，让产品功能更丰富、使用更便捷。

2.谈谈光刻技术在半导体制