CN114730701B 包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法 （桑迪士克科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114730701B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202080081818.4

(22)申请日2020.12.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114730701A

(43)申请公布日2022.07.08

(30)优先权数据

16/888,1882020.05.29US16/888,0552020.05.29US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.05.25

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2020/0673542020.12.29

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/242321EN2021.12.02

(73)专利权人桑迪士克科技股份有限公司地址美国

(72)发明人织田宪明翁照男

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师邱军

(51)Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/768(2006.01)

(56)对比文件

CN106373940A,2017.02.01

US2019304939A1,2019.10.03审查员王佩艺

权利要求书6页说明书34页附图52页

(54)发明名称

包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法

(57)摘要

CN114730701B900700可在半导体衬底上方形成半导体器件，并且可在该半导体器件上形成嵌入金属互连结构的互连层级介电材料层。在一个实施方案中，可形成焊盘连接通孔层级介电材料层、近侧介电扩散阻挡层和焊盘层级介电材料层。可在该焊盘层级介电材料层中形成由介电扩散阻挡部分包围的接合焊盘。在另一个实施方案中，可形成近侧介电扩散阻挡层和焊盘和通孔层级介电材料层的层堆叠。可穿过该焊盘和通孔层级介电材料层形成集成焊盘和通孔腔，并且可填充有含有介电扩

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CN114730701B权利要求书1/6页

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1.一种结构，所述结构包括第一半导体裸片，其中所述第一半导体裸片包括：

第一半导体器件，所述第一半导体器件位于第一衬底上方；

第一互连层级介电材料层，所述第一互连层级介电材料层嵌入第一金属互连结构，所述第一金属互连结构电连接到所述第一半导体器件并覆于所述第一半导体器件之上；

第一焊盘连接通孔层级介电材料层和第一近侧介电扩散阻挡层的层堆叠，所述层堆叠覆于所述第一互连层级介电材料层之上并嵌入第一焊盘连接通孔结构；以及

第一焊盘层级介电材料层，所述第一焊盘层级介电材料层包括第一焊盘腔，所述第一焊盘腔填充有第一接合焊盘和相应第一介电扩散阻挡部分的相应组合，其中所述第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘接触所述第一焊盘连接通孔结构的相应子组；

其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分接触所述第一近侧介电扩散阻挡层的顶表面；

其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分包括侧壁段，所述侧壁段与所述第一焊盘层级介电材料层接触并从所述第一焊盘层级介电材料层的底表面延伸到所述第一焊盘层级介电材料层的顶表面；

其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分还包括水平段，所述水平段具有接触所述第一近侧介电扩散阻挡层的底表面，其中所述底表面包括邻接所述侧壁段的底边缘的外周边和从所述外周边向内横向地偏移了偏移距离的内周边，所述偏移距离大于所述第一介电扩散阻挡部分的所述侧壁段的厚度。

2.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述第一焊盘连接通孔结构的所述相应子组包括多个第一焊盘连接通孔结构；并且

所述第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘直接接触所述第一近侧介电扩散阻挡层的顶表面的位于所述多个第一焊盘连接通孔结构之间的部分。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一焊盘连接通孔结构的顶表面在与所述第一近侧介电扩散阻挡层的顶表面相同的水平平面内。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘包括：

第一接合焊盘衬里，所述第一接合焊盘衬里包含金属氮化物材料；和

铜，所述铜含有嵌入在所述接合焊盘衬里中的第一金属焊盘填充材料部分。

5.根据权利要求4所述的结构，其中：

所述第一介电扩散阻挡部分穿过覆于所述第一焊盘层级介电材料层之上的第一水平延伸扩散阻挡部分彼此互