半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案.docVIP

半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案

半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.光刻胶按曝光后溶解性分为______和负性光刻胶两类。

2.旋涂转速越高，光刻胶厚度越______。

3.涂布后前烘的主要目的是去除光刻胶中的______。

4.涂布前晶圆需进行______处理，去除表面污染物。

5.曝光后PEB工艺的中文名称是______。

6.光刻胶应存储在______（温度范围）、避光密封的环境中。

7.涂布机匀胶腔需定期清洁，防止______污染晶圆。

8.操作光刻胶需佩戴______手套，避免直接接触。

9.负性光刻胶曝光区域会发生______反应，不溶于显影液。

10.晶圆装载时需对准______保证定位准确。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.旋涂转速增加，光刻胶厚度（）

A.增厚B.变薄C.不变D.不确定

2.前烘温度过高会导致（）

A.光刻胶变质B.溶剂残留多C.图形变形D.胶厚增加

3.正性光刻胶曝光区域在显影液中（）

A.溶解B.保留C.部分溶解D.不确定

4.涂布前晶圆预处理不包括（）

A.去油B.去水C.涂底胶D.高温烘烤

5.PEB的英文全称是（）

A.Post-ExposureBakeB.Pre-ExposureBake

C.Post-CoatingBakeD.Pre-CoatingBake

6.光刻胶操作的眼睛防护需佩戴（）

A.普通眼镜B.护目镜C.墨镜D.不需要

7.初级涂布均匀性要求一般为（）

A.±1%B.±3%C.±5%D.±10%

8.涂布机核心部件是（）

A.匀胶腔B.滴胶系统C.转速控制D.前烘模块

9.负性光刻胶分辨率比正性（）

A.高B.低C.相同D.不确定

10.晶圆装载需对准（）

A.卡槽B.定位槽C.任意位置D.滴胶口

三、多项选择题（每题2分，共20分，多选/少选/错选不得分）

1.晶圆预处理步骤包括（）

A.去油清洗B.去离子水冲洗C.干燥D.涂底胶

2.涂布关键参数有（）

A.旋涂转速B.滴胶量C.旋涂时间D.前烘温度

3.安全防护措施包括（）

A.防静电服B.防毒口罩C.耐化学手套D.防滑鞋

4.影响均匀性的因素有（）

A.转速稳定B.滴胶位置C.晶圆平整度D.环境湿度

5.负性光刻胶特点（）

A.曝光交联B.不溶于显影液C.分辨率高D.适合精细图形

6.正性光刻胶特点（）

A.曝光溶解B.分辨率高C.适合精细图形D.曝光保留

7.涂布后检查项目（）

A.胶厚B.均匀性C.无气泡D.无划痕

8.PEB作用（）

A.增强曝光反应B.提高图形精度C.减少驻波D.去除溶剂

9.光刻胶存储要求（）

A.0-5℃B.避光C.密封D.远离热源

10.涂布机维护内容（）

A.清洁匀胶腔B.校准转速C.换过滤芯D.检查滴胶系统

四、判断题（每题2分，共20分，√/×）

1.旋涂转速越快，胶厚越厚。（）

2.前烘去除胶中溶剂。（）

3.正性胶曝光区域显影溶解。（）

4.涂布前晶圆无需预处理。（）

5.光刻胶可常温存储。（）

6.PEB是曝光后必须步骤。（）

7.操作胶无需戴防毒口罩。（）

8.初级均匀性要求±5%以内。（）

9.负性胶分辨率比正性高。（）

10.晶圆装载无需对准定位槽。（）

五、简答题（每题5分，共20分，≤200字）

1.简述晶圆预处理的目的及步骤。

2.说明旋涂法涂布的基本原理。

3.简述前烘的作用及注意事项。

4.说明光刻胶操作安全防护的重要性及要求。

六、讨论题（每题5分，共10分，≤200字）

1.分析影响涂布均匀性的常见因素及解决方法。

2.讨论涂布常见缺陷（气泡、划痕）及预防措施。

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答案部分

一、填空题答案

1.正性光刻胶

2.薄

3.溶剂

4.清洁（预处理）

5.曝光后烘烤

6.0-5℃（低温）

7.颗粒（污染物）

8.耐化学（丁腈）

9.交联

10.定位槽

二、单项选择题答案

1.B2.A3.A4.D5.A

6.B7.C8.A9.B10.B

三、多项选择题答案

1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.AB

6.ABC7.ABCD8.ABC9.ABCD10.ABCD

四、判断题答案

1.×2.√3.√4.×5.×

6.√7.×8.√9.×10.×

五、简答题答案

1.目的：去除晶圆油污、颗粒、水分，提高胶附着力，保证均匀性。步骤：①去油清洗（有机溶剂）；②去离子水冲洗；③氮气干燥；④涂底胶（增强附着）。

2.晶圆固定在匀胶卡盘，滴胶后高速旋转，胶受离心力均匀铺展；转速决定胶厚（转速越高胶越薄），旋涂时间保证胶层稳定。

3.作用：去除溶剂，防止曝光污染设备、显影溶解胶层。注意：温度90-120℃（依胶种），时间1-5分钟，避免高温变质。

4.重要性：胶含化学物质危害人体，易静电放电