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固体物理现象第195卷(2013)第79-81页自2012年12月27日起在线提供于©(2013)TransTechPublications,瑞士
doi:10.4028//SSP.195.79
CleN‑PMOS图案化过程中高K金属栅极的工艺机制
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叶秋,王凯平，，王志坚,简振诚,郭泰德,陈迈克尔,杨灿龙,吴俊
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元谭珊曼·S·H·，，阿列克谢·卡班斯基,苏特提恩,高杰克
1联华电子股份有限公司，台南科学园区南科路18号，台湾省台南县新市区741，中华民国
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2应用材料公司，美国加利福尼亚州弗里蒙特市库欣公园大道4650号，邮编94538kai_
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pingwang@Samantha.Tan@
关键词：高K/金属栅极，湿法清洗，抗反射涂层，光刻胶，聚合物缺陷，表面分析is
摘要
在高K金属栅极（HKMG）结构的等离子体刻蚀过程中，光刻胶和底部抗反射涂层
（BARC）的化学和物理改性会导致残留缺陷和产量损失，这给后续的湿法清洗工艺带来
了挑战。通过STEM‑EELS、XPS和AES等多种表面分析技术系统地研究了材料在干法刻蚀
和湿法清洗后的化学行为。通过对刻蚀和清洗机制的深入了解，开发并测试了一种结合水/
溶剂清洗的方法，以有效清除刻蚀副产物。应用新的清洗方法后，产量显著提高。
引言
28nm高K/金属栅极（HKMG）后栅工艺涉及独立的N‑P型栅极功函数调节。为了解决这一
问题，在工艺流程的相应步骤中应用了底部抗反射涂层材料（BARC）和光刻胶（PR）掩模，
以保护一种类型的栅极，同时对另一种进行工程处理。需要进行干法刻蚀和随后的湿法清洗，
以提供独立的N‑P型栅极图案化和金属栅极调谐。
在开发过程中，发现BARC的图案化过程和光刻胶的干法剥离对后续湿法清洗蚀刻残留物和
BARC提出了挑战。在晶圆表面观察到了类似聚合物的缺陷和更小的缺陷，如图1a和1b所示。
需要进行充分的湿法清洗以确保产量和可靠性。本工作的目的是分析等离子体暴露的
PR/BARC上的缺陷，并确定缺陷的成分。这有助于我们阐明清洗机制，并优化HKMG在单
独的N‑P栅极工程中的相应湿法清洗工艺。
图1：在非优化的BARC/残留物清洁过程中，晶圆表面的聚合物缺陷：a‑，b‑是这些缺陷的示例。
版权所有。未经TTP书面许可，不得以任何形式或方式复制或传输本文内容，。(ID:67,QueensUniversity,Kingston,加拿大‑2014年12月27日,
08:25:20)
SolidStatePhenomenaVol.195(2013)pp79-81
Onlineavailablesince2012/Dec/27at
©(2013)TransTechPublications,Switzerland
doi:10.4028//SSP.195.79
CleanProcessMechanismofHKMGduringN-PMOSPatterning
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