2025及未来5年中国碳化硅(SiC)行业投资分析及发展战略咨询报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、碳化硅材料技术原理与核心工艺深度解析 5
1.1碳化硅晶体结构特性及其对器件性能的影响机制 5
1.2主流制备工艺(PVT、CVD、HT-CVD)技术路径对比与成本效益分析 6
1.3晶体缺陷形成机理与控制策略:从位错密度到微管抑制的工程实现 9
二、碳化硅器件架构设计与系统集成演进路线 12
2.1功率器件(MOSFET、SBD、JFET)器件物理与电场调制机制 12
2.2模块封装技术瓶颈与热管理架构创新:基于Si
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