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半导体晶圆制造工程师岗位招聘考试试卷及答案
一、填空题（每题1分，共10分）
1.半导体晶圆最常用的材料是______。
2.曝光区域可溶解的光刻胶称为______胶。
3.去除晶圆表面氧化层常用的湿法试剂是______。
4.CMP工艺核心是______与抛光垫的协同作用。
5.离子注入的主要目的是引入______。
6.晶圆常用直径规格含150mm、200mm和______mm。
7.干法刻蚀产生等离子体的部件是______电源。
8.晶圆清洗后常用______干燥避免水渍。
9.光刻常用能量源是紫外线或______。
10.淀积工艺的作用是______薄膜。
答案：
1.硅（Si）2.正3.氢氟酸（HF）4.抛光液（Slurry）5.掺杂原子6.3007.射频（RF）8.氮气（N?）9.电子束10.沉积
二、单项选择题（每题2分，共20分）
1.去离子水电阻率要求至少为：
A.1MΩ·cmB.10MΩ·cmC.18MΩ·cmD.50MΩ·cm
2.属于“图形转移”核心工艺的是：
A.扩散B.光刻C.氧化D.退火
3.CMP压力过大易导致：
A.划痕B.速率降低C.垫寿命延长D.均匀性提升
4.离子注入后需______激活掺杂：
A.退火B.清洗C.刻蚀D.涂胶
5.湿法刻蚀的特点是：
A.各向异性B.选择比高C.精度高D.无侧蚀
6.SOI结构全称是：
A.SiliconOnInsulatorB.SiliconOnIngotC.SiliconOxideInsulatorD.SiliconOrganicInterface
7.显影液作用是去除______光刻胶（正胶）：
A.未曝光B.曝光C.所有D.无残留
8.晶圆切割设备是：
A.光刻机B.刻蚀机C.划片机D.清洗机
9.氧化工艺形成SiO?的主要气体是：
A.O?B.N?C.H?D.Ar
10.晶圆颗粒污染最可能原因是：
A.清洗不彻底B.胶太厚C.曝光能量高D.退火温度低
答案：
1.C2.B3.A4.A5.B6.A7.B8.C9.A10.A
三、多项选择题（每题2分，共20分，多选/少选/错选不得分）
1.晶圆核心工艺含：
A.光刻B.刻蚀C.离子注入D.CMPE.清洗
2.光刻胶类型含：
A.正胶B.负胶C.电子束胶D.DUV胶E.UV胶
3.湿法清洗常用试剂含：
A.HFB.H?SO?C.H?O?D.NH?·H?OE.HCl
4.CMP关键参数含：
A.抛光压力B.垫转速C.液流量D.晶圆转速E.退火温度
5.离子注入参数含：
A.能量B.剂量C.角度D.退火时间E.清洗温度
6.干法刻蚀类型含：
A.等离子体刻蚀B.RIEC.湿法刻蚀D.离子铣削E.化学机械刻蚀
7.氧化工艺作用含：
A.绝缘层B.保护晶圆C.掺杂阻挡D.图形转移E.抛光
8.光刻关键步骤含：
A.涂胶B.软烘C.曝光D.显影E.去胶
9.晶圆检测方法含：
A.光学显微镜B.SEMC.AFMD.四探针E.划片
10.退火作用含：
A.激活掺杂B.修复晶格C.降电阻率D.去胶残留E.洗颗粒
答案：
1.ABCD2.ABCDE3.ABCDE4.ABCD5.ABC6.ABD7.ABC8.ABCDE9.ABCD10.ABC
四、判断题（每题2分，共20分，√/×）
1.晶圆直径越大，单位芯片成本越低。（√）
2.正胶曝光区溶解，负胶相反。（√）
3.CMP仅能平坦化，不能去缺陷。（×）
4.离子注入均匀性比扩散好。（√）
5.湿法刻蚀侧蚀比干法小。（×）
6.掩模作用是转移图案。（√）
7.清洗后需立即下工序，否则重污染。（√）
8.退火只能在氮气中进行。（×）
9.300mm晶圆比200mm厚。（×）
10.干法刻蚀选择比低于湿法。（√）
五、简答题（每题5分，共20分，200字左右）
1.简述CMP工艺的目的及关键组成
答案：CMP核心目的是实现晶圆全局平坦化，消除前序工艺高低差，为光刻等提供平整表面，同时去除划痕、颗粒等缺陷。关键组成：①抛光液（含磨粒+化学试剂，化学腐蚀+机械研磨协同）；②抛光垫（聚氨酯材质，支撑磨粒分布）；③抛光头（固定晶圆+可控压力，控制速率/均匀性）；④载盘（承载垫+旋转，与抛光头协同运动）。
2.湿法清洗的作用及两种常用试剂
答案：作用是去除颗粒、有机污染物、金属杂质及氧化层，保障后续良率。常用试剂：①氢氟酸（HF）：去除天然氧化层（SiO?），去除Fe/Cu等金属；②硫酸-过氧化氢（Piranha液）：强氧化性，去除光刻胶残留、油脂等有机污染物。
3.光刻曝光的作用及关键参数
答案：作用是通过掩模将图案转移到光刻胶，使曝光区发生化学变化（正胶交联/负胶分解）。关键参数：①曝光能量（匹配胶敏感度，不足显影不净，过量变形）；②对准精度（掩模与前序图案对齐误差，影响良率）
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