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基于FPGA的快闪存储器纠错电路：设计、实现与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在数字化时代，数据已成为信息社会的核心资产，从日常使用的智能手机、平板电脑，到数据中心的海量存储系统，快闪存储器（FlashMemory）凭借其非易失性、高存储密度、快速读写等特性，成为数据存储的关键载体，在现代数字设备中得到了极为广泛的应用。

随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展，对数据存储的容量、速度和可靠性提出了更高的要求。快闪存储器在不断提升存储密度和读写速度的同时，也面临着严峻的数据存储可靠性挑战。由于快闪存储器的存储原理基于浮栅晶体管对电荷的存储，在长期使用过程中，受到环境因素（