WO2025139695A1 3d封装转接结构及其形成方法、封装器件 （晁阳）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/139695A1

(51)国际专利分类号：

H01L23/538(2006.01)H01L25/16(2023.01)HO1L21/48(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/137293

(22)国际申请日：2024年12月6日(06.12.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311861306.12023年12月29日(29.12.2023)CN

(72)发明人；及

(71)申请人：晁阳(CHAO,Yang)[SG/CN];中国北京市海淀区中关村923号楼106号100086(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,

BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,

SE,SG,SK,SL,ST,SV,SY,TH,TJ,TM,TN,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VC,VN,WS,ZA,ZM,ZW。

(84)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的地区保护):ARIPO(BW,CV,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SC,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),欧亚(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),欧洲(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,

HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,ME,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OAPI(BF,BJ,CF,

(54)Title:3DPACKAGINGINTERPOSERSTRUCTUREANDFORMINGMETHODTHEREFOR,ANDPACKAGEDDEVICE

(54)发明名称：3D封装转接结构及其形成方法、封装器件

110~

110~

A2

B2

功能芯片区域

[图1]

AA

边缘

BB

Edgeregion

BBFunctionachipregion

WO2025/139695A1

WO2025/139695A1

(57)Abstract:A3Dpackaginginterposerstructureandaformingmethodtherefor,andapackageddevice.The3Dpackaginginteposer

structurecomprises:apluralityofinterposersubstrates,eachofwhichincludesafunctionalchipregionandanedgeregion,theedgeregionsurroundingthefunctionalchipregion;andapluralityofconductivethrough-viastructures,eachofwhichrunsthrougheachinterposersubstrateexceptthetopinterposersubstrateintheedgeregionandiselectricallyinsulatedfromthefunctionalchipregionofeachinterposersubstrate,wherei