WO2025138553A1 一种低衬底漏电的rfsoi晶圆及其制备方法 （中国科学院微电子研究所）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138553A1

(51)国际专利分类号：

H01L21/762(2006.01)H01L27/12(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/094943

(22)国际申请日：2024年5月23日(23.05.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311799562.22023年12月25日(25.12.2023)CN

(71)申请人：中国科学院微电子研究所(INSTITUTEOFMICROELECTRONICSOFTHECHINESEACADEMYOFSCIENCES)[CN/CN];中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。

(72)发明人：李博(LI,Bo);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。刘凡宇(LIU,Fanyu);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。

张铁馨(ZHANG,Tiexin);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。黄杨(HUANG,Yang);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。陈思远(CHEN,Siyuan);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。

(74)代理人：北京八月瓜知识产权代理有限公司(BEIJINGAUGUSTMELONINTELLECTUALPROPERTYAGENCYCO.LTD);中国北京市丰台区汽车博物馆东路6号院3号楼2单元701-2(园区)100070(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,

WO2025/138553A1

WO2025/138553A1

(54)Title:RFSOIWAFERWITHLOWSUBSTRATELEAKAGEANDMANUFACTURINGMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：一种低衬底漏电的RFSOI晶圆及其制备方法

(57

(57)Abstract:Thepresentinventionrelatestothetechnicalfieldofsemiconductors,andinparticulartoanRFSOIwaferwithlowsubstrateleakageandamanufacturingmethodtherefor.TheRFSOIwafercomprises,successivelyarrangedfromtoptobottom,afirstsiliconlayer,afirstburiedoxidelayer,afirstdefect-richlayer,asecondburiedoxidelayer,aseconddefect-richlayerandawafersubstrate,eachofthefirstdefect-richlayerandthesecondde-fect-richlayerbeinganyoneofapolycrystallinesiliconlayerandaporoussiliconlayer.Inthepresentinvention,providingthesec-onddefect-richlayercaneffectivelyblocktheinterferenceofasub-stratelayerwithelectricsignalsinabackgateregion,andprovidingthesecondburiedoxidelayercanblocktheleakageoftheoriginalTRL/SUBlayer.Therefore,comparedwithexistingRFSOI