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GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器及其主动锁模的深入探究与应用拓展

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，对于高速、大容量、高质量的数据传输需求愈发迫切。半导体激光器凭借小尺寸、高效率、易于集成和调制等显著优点，在光通讯系统中得到了极为广泛的应用。然而，由于光纤的物理特性限制，其无法承载所有类型的光波，这使得外腔可调谐半导体激光器逐渐受到高度重视。外腔可调谐半导体激光器不仅能够产生可调谐的光波，还能通过改变外腔中的光栅结构实现模式锁定，这对于提高输出功率和频率稳定性具有关键作用。

在光通信领域，随着5G乃至未来6G通信技术的发展，对光载波的频率稳定性和波长可调谐性提出了更高要求。传统的固定波长半导体激光器难以满足高速、大容量光通信系统中灵活的波长分配和复用需求。而GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器能够在较宽范围内实现波长调谐，可有效解决波分复用系统中的波长资源分配问题，提高通信容量和传输效率。同时，其主动锁模技术能够产生高重复频率、窄脉宽的光脉冲，在光时分复用通信中可实现更高速率的数据传输，对于推动光通信技术向超高速、超大容量方向发展具有重要意义。

在生物医学领域，如荧光成像、光动力治疗等应用中，需要特定波长且稳定的激光光源。GaN基激光器发射的蓝光或紫光波段，与许多生物分子的荧光激发波段相匹配，通过精确控制激光器的波长和功率稳定性，能够实现更精准的生物医学检测和治疗，为生物医学研究和临床应用提供强有力的工具。在精密测量领域，如高分辨率光谱分析、光学干涉测量等，需要线宽窄、频率稳定的激光光源。GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器的窄线宽特性和主动锁模后的高频率稳定性，能够极大地提高测量精度和分辨率，满足精密测量领域对高精度光源的需求。

1.2国内外研究现状

国际上，自1995年日亚公司研制成功世界上第一只室温脉冲激射的波长为405nmGaN基紫光激光器以来，众多研究机构便投入巨资对GaN基激光器展开研究。在GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器方面，国外已经取得了一系列重要成果。一些研究团队通过优化外腔结构和光栅参数，实现了较宽的波长调谐范围和较高的边模抑制比。在主动锁模技术研究上，国外也有诸多探索，部分研究利用高速调制技术实现了稳定的主动锁模，获得了高质量的锁模脉冲。

在国内，2004年中科院半导体所和北京大学率先研制出GaN基紫光激光器，此后国内在GaN基激光器领域不断取得进展。对于GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器及其主动锁模技术的研究，国内科研机构和高校也积极开展相关工作。一些研究小组通过改进材料生长工艺和器件制备技术，提高了激光器的性能。然而，与国外先进水平相比，国内在某些关键技术指标上仍存在一定差距，如波长调谐的精度和稳定性、主动锁模的脉冲质量等方面，仍有较大的提升空间。

1.3研究目标与内容

本研究旨在设计、制备和测试高性能的GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器，并开发高效稳定的主动锁模技术。具体研究目标包括：成功设计和制备出GaN基光栅外腔可调谐半导体激光器；深入研究外腔光栅参数对激光器输出波长的影响，为实现精确的波长调谐提供理论和实验依据；探究外腔光栅参数对激光器频率稳定性和输出功率的影响规律；开发基于电子自旋共振法的主动锁模技术，显著提高激光器的频率稳定性和输出功率；通过实验全面验证主动锁模技术的稳定性和可行性。

在研究内容上，首先进行器件的设计工作，根据半导体激光器的物理和光学特性，结合外腔可调谐原理和主动锁模技术要求，设计出合理的GaN基光栅外腔结构和增益介质结构。在材料制备环节，采用分子束外延技术在GaN基底上生长高质量的外腔可调谐半导体激光器材料，精确控制材料的生长参数，以获得优异的材料性能。器件制备过程中，通过光刻、刻蚀等微纳加工工艺，制备出高精度的光栅结构，实现光波的可调谐和主动锁模功能。对制备好的器件进行全面的性能研究，利用高分辨光谱仪、功率计和优化的自动化测试平台，对激光器的光谱、输出功率和稳定性等性能参数进行详细测试和深入分析。

1.4研究方法与技术路线

本研究将采用多种研究方法相结合的方式。在基础理论研究方面，深入理解半导体激光器的物理和光学特性，系统掌握外腔可调谐半导体激光器的工作原理、调谐方式和主动锁模技术，建立完善的理论模型，为后续的研究提供理论指导。运用分子束外延技术在GaN基底上生长外腔可调谐半导体激光器材料，精确控制生长过程中的温度、气压、原子束流等参数，确保生长出高质量的材料。通过光刻、刻蚀、镀膜等微纳加工工艺，设计和制备出具有特定参数的光栅结构，实现光波的可调谐和主动锁模功能。利用高分辨光谱仪测量激光器的输出光谱，确定波长调谐范围和线宽；使用功率计测量输出功率，分析功率与光栅参数、注