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Ge2Sb2Te5基相变存储：材料与器件结构的协同探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据存储技术在现代社会中扮演着举足轻重的角色。从日常生活中的智能手机、平板电脑，到数据中心的大规模存储系统，对存储技术的性能要求日益提高，包括更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和可靠性。在众多新型半导体存储技术中，相变存储器（PCRAM）以其优异的综合性能脱颖而出，被广泛认为是下一代最具潜力的非易失性存储器之一。

相变存储器的基本原理是利用相变材料在晶态和非晶态之间的可逆转变来存储信息。当相变材料处于晶态时，其电阻较低，对应逻辑“1”；处于非晶态时，电阻较