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热CVD法制备碳纳米管冷阴极及其在真空电子器件中的创新应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，真空电子器件作为电子领域的关键组成部分，广泛应用于通信、雷达、电子对抗、医疗成像等众多领域，对推动各行业的技术进步和发展起着不可或缺的作用。传统真空电子器件多采用热阴极电子源，然而，其存在加热结构复杂、预热时间长、能效低等诸多弊端，严重制约了真空电子器件向小型化、高效化和集成化方向的发展。随着材料科学和纳米技术的不断进步，碳纳米管冷阴极作为一种极具潜力的新型电子发射材料应运而生，为真空电子器件的革新带来了新的契机。

碳纳米管自1991年被发现以来，凭借其独特的结构