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InAs单量子点光学性质的多维度解析与应用拓展研究
一、引言
1.1研究背景与意义
半导体量子点作为一种零维的纳米材料，由于其独特的量子尺寸效应、表面效应和量子限域效应，展现出与体材料截然不同的光学、电学等物理性质，在光电子学、量子信息处理、生物医学成像等众多领域都呈现出巨大的应用潜力。它的量子限域效应使得电子和空穴被限制在极小的空间范围内，从而导致其能级结构由连续的能带转变为分立的能级，就像原子的能级结构一样，这种特性赋予了量子点许多优异的光学性能。
InAs单量子点作为半导体量子点家族中的重要成员，在光电子领域具有极高的潜在应用价值。InAs单量子点具有窄带隙的特点，其发射波长可
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