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电工电子技术史仪凯第二版课后答案

姓名：__________考号：__________

一、单选题(共10题)

1.在半导体二极管中，当正向偏置时，P区的多数载流子是？()

A.电子

B.空穴

C.中性原子

D.离子

2.晶体管的三个基本区域分别是？()

A.发射区、基区、集电区

B.集电区、基区、发射区

C.基区、发射区、集电区

D.基区、集电区、发射区

3.在交流电路中，电阻元件的电压与电流之间的相位差是？()

A.0度

B.90度

C.180度

D.270度

4.在RL串联电路中，当电源频率增加时，电路的阻抗将？()

A.增加

B.减少

C.保持不变

D.无法确定

5.在电容器的充放电过程中，电容器的电压与电流的关系是？()

A.电压与电流成正比

B.电压与电流成反比

C.电压与电流无关

D.电压与电流成指数关系

6.理想变压器的输入功率与输出功率的关系是？()

A.输入功率大于输出功率

B.输入功率小于输出功率

C.输入功率等于输出功率

D.输入功率与输出功率无关

7.在RLC串联谐振电路中，当电路处于谐振状态时，电路的阻抗是？()

A.电阻

B.电感

C.电容

D.无穷大

8.在半导体二极管中，当反向偏置时，二极管的反向饱和电流是？()

A.很大

B.很小

C.不变

D.无法确定

9.在晶体管放大电路中，晶体管工作在放大区时，基极电流的变化将？()

A.不影响集电极电流

B.正比影响集电极电流

C.反比影响集电极电流

D.不影响集电极电压

10.在交流电路中，电容器的容抗与频率的关系是？()

A.容抗随频率增加而增加

B.容抗随频率增加而减少

C.容抗与频率无关

D.容抗随频率增加而保持不变

11.在半导体二极管中，PN结的形成是由于？()

A.P区和N区的载流子浓度不同

B.P区和N区的掺杂类型不同

C.P区和N区的温度不同

D.P区和N区的材料不同

12.在晶体管放大电路中，晶体管工作在截止区时，集电极电流是？()

A.非常大

B.非常小

C.保持不变

D.无法确定

二、多选题(共5题)

13.晶体管的三极管结构包括哪些部分？()

A.发射区

B.基区

C.集电区

D.衬底

14.下列哪些元件在交流电路中具有储能作用？()

A.电阻

B.电感

C.电容

D.电流

15.下列哪些电路分析方法适用于复杂电路的分析？()

A.欧姆定律

B.基尔霍夫定律

C.叠加定理

D.戴维南定理

16.在RLC串联谐振电路中，以下哪些参数会影响电路的谐振频率？()

A.电阻值

B.电感值

C.电容值

D.电源电压

17.在数字电路中，以下哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能？()

A.与门

B.或门

C.非门

D.异或门

三、填空题(共5题)

18.晶体管的放大作用主要是由其______区来实现的。

19.在交流电路中，电阻元件的______与电流的平方成正比。

20.二极管的伏安特性曲线中，正向导通区对应的电压称为______。

21.RLC串联谐振电路的谐振频率是由______和______的比值决定的。

22.在基尔霍夫电压定律中，任意闭合回路内所有支路电压的______之和等于零。

四、判断题(共5题)

23.二极管在正向偏置时，其正向电阻比反向电阻大。()

A.正确B.错误

24.晶体管在放大区工作时，其集电极电流与基极电流成正比。()

A.正确B.错误

25.在RLC串联谐振电路中，当电路处于谐振状态时，电感与电容的阻抗相等。()

A.正确B.错误

26.理想变压器的输入功率和输出功率是相等的。()

A.正确B.错误

27.在交流电路中，电容器的容抗随着频率的增加而增加。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

28.请简述晶体管放大电路的基本原理。

29.解释什么是交流电路中的阻抗匹配，为什么它很重要？

30.什么是RLC串联谐振电路？简述其谐振条件。

31.什么是基尔霍夫电流定律？它适用于哪些电路？

32.简述叠加定理的内容及其应用。

电工电子技术史仪凯第二版课后答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】B

【解析】在半导体二极管中，P区掺杂了杂质原子，这些原子提