T_SICA 008-2025 半导体IBO套刻设备验收规范.docxVIP

ICS31.200CCSN38

SICA

团体标准

T/SICA008—2025

半导体IBO套刻设备验收规范

AcceptancespecificationforsemiconductorIBOoverlayequipment

2025-6-03发布2025-7-03实施

上海市集成电路行业协会发布

I

T/SICA008—2025

目次

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4缩略语 1

5套刻设备图形测试的结构和原理 2

6设备验收主要参数 7

7设备验收 8

附录A（规范性）套刻设备的重要指标及测试计算 10

附录B（资料性）套刻量测设备标准片制作 12

II

T/SICA008—2025

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由上海市集成电路行业协会提出。

本文件由上海市集成电路行业协会归口。

本文件起草单位：魅杰光电科技（上海）有限公司、上海市集成电路行业协会、国家集成电路创新中心、上海泛腾半导体技术有限公司、上海隐冠半导体技术有限公司、上海积塔半导体有限公司、上海芯上微装科技股份有限公司、卡尔蔡司（上海）管理有限公司、上海市质量和标准化研究院、上海新微技术研发中心有限公司、拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司、复旦大学微电子学院、电子科技大学集成电路学院、浙江大学光电科学与工程学院、浙江驰拓科技有限公司、杭州立昂东芯微电子有限公司。

本文件主要起草人：闫波、夏雷云、尹睿、温任华、胡伟雄、杨波、江旭初、蔡洪涛、周钰颖、卢姝、龚燕飞、吴茹茹、陈鲲、张正敏、朱婕、王晨、卢红亮、李正国、孟凡涛、刘柳、赵强、张奇、吴浩成

T/SICA008—2025

1

半导体IBO套刻设备验收规范

1范围

本文件规定了套刻量测设备验收的技术要求，包括图形测试的结构和原理、设备验收主要参数设备验收等。

本文件适用于以硅(Si)和锗(Ge)等为代表的第一代半导体、以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等为代表的第二代化合物半导体、以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

套刻量测overlaymeasure

套刻量测(overlaymeasure)是指在当层光刻工艺完成后，测量套刻监控图形中当层图形和前层图形的相对位置偏差。

3.2

技术节点technologynode

技术节点（technologynode）通常是指晶体管最小特征的尺寸，半导体或芯片的90nm、65nm、0.25um、0.18um这些数字表示制作半导体芯片的最小线宽，也称作工艺节点。

3.3

场shot

光刻机每一次曝光在晶圆上形成的一个图形区域叫做一个shot区域，也成称为场。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件。

AIM：先进成像计量(AdvancedImagingMetrology)

BIB：条形图形/方框图形(barinbarorBOXINBOX)

FIF：环形图形(Frame-in-Frame)

IBO：图像套刻(ImageBasedOverlay)

MAM：一个点测试完毕移动到下一点的时间（MoveAcquireMeasurement）

MTBA：平均辅助时间(MeanTimeBetweenAssistance)

MTBF：平均故障间隔时间（MeanTimeBetweenFailure）

MTTF：设备平均无故障运行时间(MeanTimetoFailure)

MTTR:故障修复完成的平均时间(MeanTimetoRepair)

T/SICA008—2025

2

OVL：套刻精度(Overlay)

TMU：总测量不确定度（TotalMeasurementUncertainty）

TIS：测量系统引起的位移(ToolInducedShift)

WPH：一小时测试的晶圆片数（Waferperhour）

5套刻设备图形测试的结构和原理

5.1图形式样

在设计流片时，在晶圆的划片槽内放入各种监控工艺的