WO2025138636A1 GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法 （佛山市国星半导体技术有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138636A1

(51)国际专利分类号：

HO1L33/12(2010.01)H01L33/32(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/099627

(22)国际申请日：2024年6月17日(17.06.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311840365.02023年12月28日(28.12.2023)CN

(71)申请人：佛山市国星半导体技术有限公司(FOSHANNATIONSTARSEMICONDUCTORCO.,LTD)[CN/CN];中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。

(72)发明人：胡清富(HU,Qingfu);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。徐亮(XU,Liang);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。李军政(LI,Junzheng);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200

(CN)。张晓庆(ZHANG,Xiaoqing);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。武杰(WU,Jie);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。于斌(YU,Bin);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。徐金荣(XU,Jinrong);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。林嘉虹(LIN,Jiahong);中国广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号528200(CN)。

(74)代理人：广州三环专利商标代理有限公司(SCIHEADIPLAWFIRM);中国广东省广州市越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室510070(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

(54)Title:GAN-BASEDBLUE-GREENLEDEPITAXIALSTRUCTUREANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法

3(57)Abstract:AGaN-basedblue-greenLEDepitaxialstructure,relatingtothefieldofsemiconductorphotoelectricdevices.TheGaN-basedblue-greenLEDepitaxialstructurecomprisesasubstrate,andabufferlayer,adisloca-tionregulationlayer,aU-GaNlayer,anN-GaNlayer,amulti-quantum-welllayer,anelectronblockinglayerandaP-GaNlayerwhicharesequentiallystackedonthesubstrate,whereinthe