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基于ZnO微米棒阵列的分子整流器件研究

摘要

本研究聚焦于基于ZnO微米棒阵列的分子整流器件，通过简单且适用的自制化学喷雾热解方法，在玻璃和p-Si基板上成功生长出ZnO微/纳米棒。运用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对生成的ZnO层的结构和形态特征展开分析，揭示了存在具有不同取向和直径、高结晶度的ZnO微/纳米棒。深入探究了这些ZnO微/纳米棒阵列在Co/p-Si器件中的界面性能，所制备的Co/ZnO微-纳米棒/p-Si器件在±1V时的整流比达到了103数量级。随着光功率强度从150mW/cm2增加到300mW/cm2，对一些光电二极管参数，如响应度、灵敏度和比探测率等进行了研究。最终考察了ZnO微/纳米棒阵列在UVA光下降解罗丹明B染料时的性能，得出其在高级氧化过程中具备良好光催化活性的结论。所有结果均表明，本研究中通过简单自制化学喷雾热解方法获得的ZnO微/纳米棒阵列在光学应用方面极具潜力。

关键词

ZnO微米棒阵列；分子整流器件；化学喷雾热解；整流比；光催化活性

一、引言

随着科技的不断进步，电子器件的小型化和高性能化成为了研究的热点方向。分子电子学作为一门新兴的交叉学科，致力于利用分子的电学特性构建新型电子器件，为解决传统硅基器件尺寸逼近物理极限的问题提供了新的途径。在众多可用于分子电子器件的材料中，ZnO以其独特的物理化学性质脱颖而出。

ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的直接宽带隙（3.3eV）半导体材料，激子束缚能高达60meV。这种特性使得ZnO在光电器件领域展现出巨大的应用潜力，例如在紫外光探测器、发光二极管、激光二极管以及太阳能电池等方面都有广泛的研究和应用。其中，ZnO微米棒阵列由于其特殊的一维结构，具有比表面积大、电子传输路径短等优势，能够为分子整流器件的性能提升提供有力支持。

分子整流器件作为分子电子学中的关键元件，其作用类似于传统的半导体二极管，能够实现电流的单向导通，在构建分子电路和逻辑运算等方面具有不可或缺的地位。然而，目前实现高整流比且性能稳定的分子整流器件仍面临诸多挑战。因此，研究基于ZnO微米棒阵列的分子整流器件，对于推动分子电子学的发展以及开发新型高性能电子器件具有重要的理论和实际意义。

二、实验部分

2.1实验材料

实验中选用了玻璃基板和p-Si基板，这两种基板具有良好的平整度和电学性能，能够为ZnO微米棒阵列的生长提供稳定的支撑。同时，实验所用的化学试剂均为分析纯，包括锌源、氧源以及其他辅助试剂，以确保实验过程中的化学反应能够准确进行，避免杂质对实验结果的干扰。

2.2ZnO微米棒阵列的生长

采用自制化学喷雾热解方法来生长ZnO微米棒阵列。具体过程如下：首先，将锌源和氧源按照一定比例配制成前驱体溶液，通过喷雾装置将前驱体溶液均匀地喷洒在预热的基板表面。在高温环境下，前驱体溶液发生热解反应，锌原子和氧原子在基板表面结合并逐渐生长形成ZnO微米棒。通过精确控制喷雾的速率、热解的温度和时间等参数，可以实现对ZnO微米棒的尺寸、取向和密度等生长特性的调控。

2.3结构与形貌表征

利用X射线衍射（XRD）技术对生长后的ZnO层进行晶体结构分析。XRD图谱能够提供关于ZnO晶体的晶相、晶格常数以及晶体取向等重要信息，通过与标准图谱对比，可以确定所制备的ZnO是否为预期的六方纤锌矿结构，以及其结晶质量的高低。

采用扫描电子显微镜（SEM）对ZnO微米棒的形貌进行观察。SEM图像能够直观地展示ZnO微米棒的形态、尺寸分布以及在基板上的生长取向情况。通过对SEM图像的分析，可以测量ZnO微米棒的直径、长度等参数，并评估其阵列的均匀性。

2.4分子整流器件的构建

将生长有ZnO微米棒阵列的p-Si基板与金属Co电极进行组装，构建Co/ZnO微-纳米棒/p-Si分子整流器件。在组装过程中，需要确保电极与ZnO微米棒阵列之间具有良好的欧姆接触，以保证器件在电学测试中的稳定性和准确性。通过控制组装条件，如电极的沉积方式、厚度以及接触压力等，可以优化器件的性能。

2.5性能测试

使用半导体参数分析仪对分子整流器件的电流-电压（I-V）特性进行测试，以获取器件的整流比等关键电学参数。在测试过程中，施加不同极性和大小的偏压，记录相应的电流值，从而绘制出I-V曲线。通过对I-V曲线的分析，可以计算出器件在不同偏压下的整流比，评估其整流性能。

在光电器件性能测试方面，搭建了一套光功率可调的测试系统。通过改变入射光的功率强度，从150mW/cm2逐渐增加到300mW/cm2，测量器