WO2025138914A1 基于液滴冲击的晶圆清洗方法 （至微半导体(上海)有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138914A1

(51)国际专利分类号：

BO8B3/02(2006.01)B05B1/18(2006.01)

HO1L21/67(2006.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/113035

(22)国际申请日：2024年8月19日(19.08.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311856109.02023年12月29日(29.12.2023)CN

(71)申请人：至微半导体(上海)有限公司(ULTRONSEMICONDUCTOR(SHANGHAI)CO.,LTD.)[CN/CN];中国上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室200241(CN)。上海至纯洁

净系统科技股份有限公司(PNCPROCESSSYSTEMSCO.,LTD.)[CN/CN];中国上海市闵行区紫海路170号200241(CN)。

(72)发明人：张章(ZHANG,Zhang);中国上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室200241(CN)。唐宝国(TANG,Baoguo);中国上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室200241(CN)。陈新来(CHEN,Xinlai);中国上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室200241(CN)。蒋渊(JIANG,Yuan);中国上海市闵行区紫海路170号200241(CN)。

(74)代理人：上海远同律师事务所(SHANGHAI

YUANTONGLAWFIRM);中国上海市徐汇区田林路142号3幢(D1栋)403A室200233(CN)。

(54)Title:WAFERCLEANINGMETHODBASEDONDROPLETIMPACT

(54)发明名称：基于液滴冲击的晶圆清洗方法

在晶圆旋转过程中，向晶圆的表面喷洒第一清洗液，形成持续的液膜，使液膜内部的污染物质从品圆的表面脱附至液膜中向品圆的表面连续滴落山第二清洗液形成的液滴，通过液滴的持续冲击使液膜内部的污染物质被扬起，并随液膜的流动脱离晶圆S101S101Duringtherotationofawafer,sprayafirstcleaningsolutionontothesurfaceofthewafer,soastoformacontinuousliquidfilm,suchthatcontaminantsinsidethewaferaredesorbedfromthesurfaceofthewaferinto

在晶圆旋转过程中，向晶圆的表面喷洒第一清洗液，形成

持续的液膜，使液膜内部的污染物质从品圆的表面脱附至

液膜中

向品圆的表面连续滴落山第二清洗液形成的液滴，通过液

滴的持续冲击使液膜内部的污染物质被扬起，并随液膜的

流动脱离晶圆

S101

S102S102Continuouslydrip,ontothesurfaceofthewafer,dropletsformedfromasecondcleaningsolution,suchthatthecontaminantswithintheliquidfilmaredislodgedbythecontinuousimpactofthedroplets,andleavethewalerastheliquidfilmflows

S102

图1

(57)Abstract:Awafercleaningmethodbasedondropletimpact.Themethodcomprises:duringtherotationofawafer,sprayingafirstcleaningsolutionontothesurfaceof