2026年口腔正畸学考试题库100道（易错题）.docxVIP

2026年口腔正畸学考试题库100道

第一部分单选题(100题)

1、对于伴有牙周病的成人正畸患者，治疗的首要原则是？

A.尽快开始牙齿移动

B.在牙周炎症得到控制、进入维护期后进行

C.只进行简单的排齐

D.必须拔除所有松动牙

【答案】：B

2、关于深覆颌的描述，下列哪项是正确的？

A.上前牙切缘覆盖下前牙唇面超过切1/3

B.下前牙切缘咬在上前牙舌侧颈部1/3

C.上下前牙切端间无覆颌关系

D.上下前牙切端间存在垂直向间隙

【答案】：A

3、在隐形矫治技术中，实现牙齿压低移动的主要难点在于？

A.矫治器无法提供足够的压低力

B.矫治器与牙齿的贴合度在压低时易丧失，导致力量表达效率低

C.无法精确控制压低量

D.容易导致牙根吸收

【答案】：B

4、正畸治疗中，牙齿移动的类型不包括？

A.倾斜移动

B.整体移动

C.旋转移动

D.病理性移动

【答案】：D

5、下列哪项指标通常用于评估面部垂直向发育是否异常？

A.SNA角

B.SNB角

C.下颌平面角（MP-SN或FMA）

D.ANB角

【答案】：C

6、关于正畸治疗中颞下颌关节紊乱病（TMD）的风险，目前的主流观点是？

A.正畸治疗是TMD的主要病因

B.正畸治疗可以predictably治疗TMD

C.正畸治疗与TMD的发生发展无明确因果关系

D.正畸治疗必须避免改变咬合，以防TMD

【答案】：C

7、Angle错??分类法中，上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟，这是哪一类？

A.Ⅰ类

B.Ⅱ类

C.Ⅲ类

D.Ⅳ类

【答案】：A

8、下列哪项不是正畸治疗中支抗的主要类型？

A.颌内支抗

B.颌间支抗

C.颌外支抗

D.牙周支抗

【答案】：D

9、在正畸治疗中，通常所说的“支抗”是指？

A.移动牙齿所需的力量

B.抵抗矫治力反作用的部位

C.矫治器的固位部分

D.牙齿移动的方向

【答案】：B

10、在制定正畸治疗计划时，对于边缘病例决定是否拔牙，最可靠的参考依据是？

A.模型分析（如Bolton指数，拥挤度）

B.患者及家长的主观意愿

C.软组织侧貌分析

D.综合模型分析、头影测量和面型分析

【答案】：D

11、在正畸诊断中，下列哪项头影测量指标最能反映下颌的矢状向位置？

A.SNA角

B.SNB角

C.ANB角

D.FMA角

【答案】：B

12、在制定正畸治疗计划时，首要考虑的因素是？

A.患者的主诉和期望

B.错颌畸形的严重程度

C.患者的年龄和生长潜力

D.患者的全身健康状况

【答案】：A

13、下列哪种情况是正畸治疗的绝对禁忌症？

A.未经控制的牙周炎

B.轻度牙列拥挤

C.个别牙反颌

D.深覆颌

【答案】：A

14、下列哪项是正畸治疗中牙周组织健康维护的关键？

A.严格控制矫治力

B.良好的口腔卫生

C.定期牙周检查

D.以上都是

【答案】：D

15、关于开颌的描述，下列哪项是错误的？

A.前牙开颌常与吐舌习惯有关

B.后牙开颌可能与关节问题相关

C.开颌是指上下牙列在正中颌位时，部分牙齿无接触

D.开颌只能通过正颌外科手术治疗

【答案】：D

16、下列哪种矫治器属于活动矫治器？

A.方丝弓矫治器

B.直丝弓矫治器

C.Hawley保持器

D.舌侧矫治器

【答案】：C

17、下列哪项是判断正畸治疗是否需要拔牙的关键因素？

A.牙弓长度不调的程度（拥挤度或间隙）

B.患者的年龄

C.矫治器的类型

D.治疗费用的高低

【答案】：A

18、关于正畸治疗中颞下颌关节紊乱病(TMD)的处理，下列哪项描述最恰当？

A.所有TMD患者都应立即停止正畸治疗

B.正畸治疗是TMD的主要病因

C.正畸治疗可以改善某些类型的TMD

D.TMD与正畸治疗完全无关

【答案】：C

19、关于正畸治疗中牙根吸收的描述，下列哪项是正确的？

A.所有正畸患者都会发生明显的牙根吸收

B.牙根吸收与矫治力大小无关

C.轻微的牙根吸收在正畸治疗中较为常见

D.牙根吸收是不可逆的

【答案】：C

20、正畸治疗中，保持阶段的主要目的是？

A.防止复发

B.促进牙周组织改建

C.调整咬合关系

D.以上都是

【答案】：D

21、关于微种植体支抗（MIA）植入的安全区，下列哪项描述是错误的？

A.上颌颊侧，第一与第二前磨牙之间，距牙槽嵴顶6-8mm

B.上颌腭侧，中缝区

C.下颌颊侧，第一与第二磨牙之间，距牙槽嵴顶4-6mm

D.下颌舌侧，任何区域均可

【答案】：D

22、在正畸治疗中，支抗设计的主要目的是？

A.移动需要移动的牙齿

B.防止或减少不希望移动的牙齿发生移动

C.