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模拟电子技术基础复习重点总结

模拟电子技术是电子信息类专业的核心基础课程，其内容抽象、实践性强，对后续课程学习及工程应用均有着深远影响。本文旨在梳理该课程的核心知识点与复习重点，帮助读者构建清晰的知识框架，巩固理解，提升应用能力。

一、半导体器件基础

半导体器件是构成各种模拟电路的基石，理解其工作原理和特性是学好模拟电子技术的前提。

1.半导体二极管

*PN结的形成与特性：重点理解PN结的单向导电性（正向导通、反向截止）、击穿特性（齐纳击穿、雪崩击穿）及温度特性。

*二极管的伏安特性：掌握理想二极管模型、恒压降模型和折线模型的特点及适用场景。理解正向导通压降、反向饱和电流、最高反向工作电压等主要参数的物理意义。

*二极管的典型应用：整流（半波、全波、桥式整流电路的工作原理及波形分析）、限幅、钳位、开关、稳压（稳压二极管的特性与应用电路）等电路的分析与计算。

2.双极型晶体管（BJT）

*BJT的结构与工作原理：明确NPN和PNP型晶体管的结构差异，理解载流子在基区、发射区、集电区的传输过程，掌握晶体管实现电流放大作用的内部条件（发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低、集电结面积大）和外部条件（发射结正偏，集电结反偏）。

*BJT的特性曲线：重点掌握共射极输入特性曲线（死区电压、开启电压、输入电阻的体现）和输出特性曲线（三个工作区域：截止区、放大区、饱和区的划分及特征）。

*BJT的参数：电流放大系数（β、α）、极间反向电流（ICBO、ICEO）、极限参数（ICM、UCEO、PCM）的意义及在电路设计中的限制作用。

*BJT的三种基本组态：共发射极、共集电极（射极跟随器）、共基极电路的电路结构、输入输出特性（输入电阻、输出电阻、电压放大倍数、电流放大倍数、通频带）的定性比较与定量分析。

3.场效应管（MOSFET）

*MOSFET的类型与结构：区分N沟道和P沟道，增强型和耗尽型MOSFET的结构特点和符号。

*MOSFET的工作原理：理解栅源电压对导电沟道形成和沟道宽度的控制作用，掌握增强型和耗尽型MOSFET的开启电压（或夹断电压）的物理意义。

*MOSFET的特性曲线：输出特性曲线（可变电阻区、恒流区、截止区）和转移特性曲线。

*MOSFET的主要参数：开启电压UT（或夹断电压UP）、饱和漏极电流IDSS（耗尽型）、跨导gm、输入电阻RGS、最大漏源电压UDS、最大漏极电流IDM、最大耗散功率PDM等。

*与BJT的比较：突出MOSFET输入电阻极高、噪声低、热稳定性好、易于集成等优点，以及跨导较低的特点。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，其任务是不失真地放大微弱电信号。

1.单管放大电路的组成与分析方法

*组成原则：确保晶体管工作在放大区，设置合适的静态工作点（Q点），输入信号能有效加至晶体管输入回路，放大后的信号能有效输出。

*静态分析：估算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）。方法有近似计算法和图解法。重点掌握近似计算法（对固定偏置电路、分压式偏置电路等进行分析）。理解Q点对放大电路性能的影响（Q点过高易饱和失真，Q点过低易截止失真）。

*动态分析：计算放大电路的动态性能指标，如电压放大倍数Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。方法有图解法（用于分析非线性失真和最大输出电压幅值）和微变等效电路法（用于小信号条件下的定量计算）。

*三种基本组态单管放大电路的性能比较：共射电路（电压电流放大能力均较强，输入输出反相，Ri、Ro适中）、共集电路（电压跟随，电流放大，Ri高，Ro低）、共基电路（电压放大，电流跟随，Ri低，Ro高，高频特性好）。

2.多级放大电路

*耦合方式：理解阻容耦合、直接耦合、变压器耦合的特点及适用场合。重点关注直接耦合电路的零点漂移现象及其产生原因。

*动态参数计算：多级放大电路的电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积（注意后级输入电阻对前级输出电阻的影响）；输入电阻为第一级的输入电阻；输出电阻为最后一级的输出电阻。

3.差分放大电路

*电路组成与特点：利用电路结构的对称性来抑制零点漂移，是直接耦合放大电路的主要单元电路。

*工作原理：理解差模信号和共模信号的概念，差分放大电路对差模信号的放大作用和对共模信号的抑制作用。

*主要性能指标：差模放大倍数Aud、共模放大倍数Auc、共模抑制比KCMR（KCMR=|Aud/Auc|）的定义及物理意义。

*典型电路分析：长尾式差分放大电路（静态工作点计算，差模、共模动态参数分析，射极电阻Re的作用）。了解具有恒流源的差分放大电路的优势。

三、集成运算放大电路

集成运算放大器（简称集成运放）是一种高性