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半导体物理习题课及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.在晶体周期性势场中，电子能否存在连续的能级？（）

A.能

B.不能

C.只在特定动能下能

D.只在特定波数下能

2.对于N型半导体，下列描述正确的是？（）

A.多数载流子是电子，少数载流子是空穴

B.多数载流子是空穴，少数载流子是电子

C.导电主要依靠离子键

D.没有载流子，依靠自由电子导电

3.当电子从导带越过禁带进入价带时，会产生？（）

A.光子发射

B.光子吸收

C.俄歇电子

D.载流子对复合

4.半导体中，载流子的漂移电流密度与下列哪个物理量成正比？（）

A.载流子浓度

B.迁移率

C.温度

D.电场强度

5.PN结未加偏置时，其耗尽层区域电场方向为？（）

A.从N区指向P区

B.从P区指向N区

C.耗尽层内无电场

D.电场强度为零

6.当PN结外加正向电压时，其耗尽层宽度将？（）

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

7.半导体材料的禁带宽度直接影响其？（）

A.电导率

B.热稳定性

C.光电转换效率

D.以上都是

8.霍尔效应主要用于测量？（）

A.半导体材料的电阻率

B.半导体材料的载流子浓度

C.半导体材料的迁移率

D.半导体材料的能带结构

9.在半导体中，扩散电流是由于下列哪个原因产生的？（）

A.电场力作用

B.热运动

C.浓度梯度

D.核外电子跃迁

10.硅（Si）和锗（Ge）都属于哪种类型的半导体？（）

A.直接带隙半导体

B.间接带隙半导体

C.导金属

D.绝缘体

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.能带理论认为，晶体中电子的______是连续的，而______是分立的。

2.在半导体物理中，描述电子自旋量子数的符号是______，其取值为______。

3.N型半导体的多数载流子是______，P型半导体的少数载流子是______。

4.半导体中载流子的迁移率μ定义为______与电场强度E的比值。

5.PN结的内建电场是由______区和______区之间的______差引起的。

6.当PN结反向偏置时，扩散电流几乎为零，主要是______电流在起作用。

7.半导体中，载流子的平均自由程λ与______成反比，与______成正比。

8.势垒电容是PN结在______偏置下表现出的电容效应，其物理本质是______。

9.根据能带理论，半导体材料的导电性取决于其______的大小以及______的位置。

10.齐纳击穿是指载流子在______作用下发生的电离，通常发生在______较窄的PN结中。

三、简答题（每小题5分，共15分。请简要回答下列问题）

1.简述能带形成的主要物理原因。

2.解释什么是半导体中的内建电场及其方向。

3.简述载流子的漂移运动和扩散运动的区别。

四、计算题（共45分。请写出详细的解题步骤和结果）

1.（10分）一块硅（Si）样品，室温下（T=300K）电子的迁移率μ_n=1400cm2/V·s，空穴的迁移率μ_p=450cm2/V·s。已知硅的电子有效质量m*_n=0.19m_e，空穴有效质量m*_p=0.36m_e，其中m_e为电子的静止质量。试计算该样品的禁带宽度E_g。（提示：可以使用能带理论中的关系式，并查表获得必要的参数，如有效态密度N_c和N_v。）

2.（10分）一个硅PN结，其N区和P区的掺杂浓度分别为N_D=10^16cm?3和N_A=10^15cm?3。假设P区足够大，可以认为其少数载流子浓度近似为零。室温下（T=300K），硅的电子和空穴的迁移率分别为μ_n=1400cm2/V·s和μ_p=450cm2/V·s，空穴的玻尔兹曼常数B=0.025eV/K。试估算：

(1)该PN结的内建电势V_bi。

(2)当PN结施加0.7V的正向电压时，耗尽层宽度（假设N区和P区耗尽层宽度近似相等）。（提示：需要计算耗尽层近似条件下的准费米能级，并利