砷化镓及其量子阱中电子自旋扩散动力学的多维解析与应用展望.docxVIP

砷化镓及其量子阱中电子自旋扩散动力学的多维解析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求日益提高。传统的基于电子电荷属性的半导体器件，逐渐逼近其物理极限，如功耗增加、散热困难以及尺寸缩小带来的量子效应等问题，限制了其进一步的发展。在此背景下，自旋电子学应运而生，成为新一代信息科学和技术的重要分支领域，引起了广泛的关注。

自旋电子学，又称磁电子学，它不仅利用电子的电荷属性，更重要的是利用电子的自旋和磁矩特性，使固体器件中除了电荷输运外，还加入了电子的自旋和磁矩相关的物理过程。这一创新的理念为突破传统半导体器件的限制提供了新的途径，有望实现更高性