原子层沉积（ALD）制备氧化物薄膜工艺的多维度解析与前沿探索.docx

原子层沉积（ALD）制备氧化物薄膜工艺的多维度解析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与技术不断发展的进程中，薄膜制备技术始终处于前沿领域，对推动众多高新技术产业的进步发挥着关键作用。原子层沉积（ALD）技术作为一种极具特色的薄膜制备方法，近年来备受关注，在材料制备领域占据着日益重要的地位。

ALD技术起源于20世纪70年代，最初主要用于平板显示器上ZnS：Mn等场致发光薄膜的淀积。但在当时，它在工业界并未引起广泛重视。直到20世纪末，随着集成电路中特征尺寸不断缩小，对材料的要求愈发严苛，需要高介电常数（k）的材料替代SiO?作为MOS晶体管的栅介