CN113675272B 晶体管装置及形成晶体管装置的方法 （新加坡商格罗方德半导体私人有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113675272B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202110529061.7

(22)申请日2021.05.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113675272A

(43)申请公布日2021.11.19

(30)优先权数据

16/874,7082020.05.15US

(73)专利权人新加坡商格罗方德半导体私人有

限公司

地址新加坡，新加坡城

(72)发明人B·W·文J·M·具

(51)Int.CI.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)H10D62/10(2025.01)

(56)对比文件

US2014339636A1,2014.11.20US2016111488A1,2016.04.21审查员周天微

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限

公司11314专利代理师程伟王锦阳

权利要求书2页说明书8页附图19页

(54)发明名称

晶体管装置及形成晶体管装置的方法

(57)摘要

CN113675272B本申请涉及晶体管装置及形成晶体管装置的方法。可提供一种LDMOS晶体管装置，包括其中设有导电区的衬底，设于该衬底内的第一隔离结构，设于该导电区内的源区与漏区，设于该源区与该漏区之间的第二隔离(局部隔离)结构，以及至少部分设于该第二隔离结构内的栅极结构。该第一隔离结构可沿该导电区的边界的至少一部分延伸，且该第二隔离结构的深度可小于该第一隔离结构的深度。在使用期间，可沿设于该第二

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1.一种晶体管装置，包括：

衬底，在其中设有导电区；

第一隔离结构，设于该衬底内，其中，该第一隔离结构沿该导电区的边界的至少一部分延伸；

源区与漏区，设于该导电区内；

第二隔离结构，设于该源区与该漏区之间，其中，该第二隔离结构的深度小于该第一隔离结构的深度；

栅极结构，至少部分设于该第二隔离结构内；以及

漂移区，设于该导电区内，

其中，面向该源区的该栅极结构的侧面与该第二隔离结构的侧面及该漂移区的侧面垂直对齐。

2.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第一隔离结构及该第二隔离结构各者包括介电材料。

3.如权利要求1所述的晶体管装置，还包括设于该第一隔离结构与该栅极结构之间的本体区，其中，该源区设于该本体区内。

4.如权利要求3所述的晶体管装置，其中，该栅极结构沿该栅极结构的一侧面邻接该本体区。

5.如权利要求3所述的晶体管装置，其中，该本体区的深度在该第二隔离结构的深度与设于该第二隔离结构内的该栅极结构的深度之间。

6.如权利要求3所述的晶体管装置，还包括设于该本体区内的本体接触，其中，该本体接触邻接该源区。

7.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该漏区与该第二隔离结构设于该漂移区内。

8.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第一隔离结构部分地设于该导电区内。

9.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第二隔离结构的深度小于或等于120纳米。

10.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第二隔离结构的深度的范围从该第一隔离结构的深度的三分之一至该第一隔离结构的深度的三分之二。

11.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第二隔离结构为超浅沟槽隔离结构。

12.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，面向该源区的该栅极结构的一侧面与该第二隔离结构的一侧面对齐。

13.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该第二隔离结构的一部分从该栅极结构向该漏区延伸。

14.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该栅极结构的第一部分设于该第二隔离结构内且该栅极结构的第二部分设于该衬底上方。

15.如权利要求14所述的晶体管装置，还包括从该栅极结构的该第二部分上方向该衬底的顶部表面延伸的硅化物阻挡层。

16.如权利要求1所述的晶体管装置，其中，该栅极结构完全设于该第二隔离结构内。

17.一种形成晶体管装置的方法，该方法包括：

提供衬底；

在该衬底内形成导电区；

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在该衬底内形成第一隔离结构，其中，该