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基于GaN的单片及混合集成电路：设计、应用与挑战研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，集成电路作为现代电子系统的核心，其性能的提升对于推动各个领域的进步至关重要。在过去的几十年中，硅基集成电路一直占据着主导地位，然而，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统硅材料在应对高功率、高频率及高温环境等应用场景时，暴露出了诸多局限性。例如，在5G通信基站中，硅基器件难以满足其对高功率、高效率射频信号处理的需求，导致信号传输损耗大、覆盖范围受限；在新能源汽车的电力驱动系统里，硅基功率器件的高导通电阻和低开关速度，使得能量转换效率低下，影响续航里程和动力性能。

在这样的背景下，宽禁带