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半导体工艺习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填入括号内）

1.在半导体制造中，硅（Si）属于哪种类型的元素？

A.金属

B.非金属

C.半金属

D.过渡金属

2.硅的带隙宽度约为多少电子伏特（eV）？

A.0.67eV

B.1.12eV

C.3.04eV

D.4.52eV

3.热氧化过程中，在(100)晶面的硅上生长的氧化层，其侧壁相对于底面的倾斜角度约为？

A.0°

B.35°

C.54.7°

D.90°

4.扩散过程中，决定扩散物质在半导体中有无浓度梯度的驱动力是？

A.半导体温度

B.扩散源的浓度

C.化学势差

D.晶体结构

5.光刻工艺中，以下哪项不属于主流的光刻胶类型？

A.正胶

B.负胶

C.干膜

D.超分辨率光刻胶

6.在金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中，控制沟道导电性的主要电场是？

A.发射极电流产生的电场

B.集电极电流产生的电场

C.栅极电压产生的电场

D.漏极电压产生的电场

7.以下哪种方法不属于常用的薄膜沉积技术？

A.化学气相沉积（CVD）

B.物理气相沉积（PVD）

C.外延生长

D.离子束沉积

8.在半导体工艺中，刻蚀技术的目的是？

A.沉积特定功能的薄膜

B.在硅片表面形成图形

C.扩散掺杂物质

D.生长氧化层

9.离子注入工艺中，注入离子的能量主要决定了？

A.注入深度

B.注入剂量

C.注入角度

D.注入后的激活率

10.将多个功能相同的集成电路芯片制作在一块硅片上，再进行封装，这个过程称为？

A.外延生长

B.光刻

C.集成

D.封装

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填入横线上）

1.硅原子最外层有______个电子。

2.通常所说的SiO?绝缘层，其厚度常用______或______来衡量。

3.扩散工艺中的驱动力是______浓度梯度。

4.光刻过程中，用于传递图形信息的载体是______。

5.薄膜沉积时，为了获得均匀的薄膜厚度，常采用______技术。

6.刻蚀技术根据作用原理可分为______刻蚀和______刻蚀。

7.离子注入后，通常需要进行______处理，以使注入的离子在晶体lattice中处于稳定状态。

8.MOSFET根据导电沟道的类型可分为______MOSFET和PMOSFET。

9.N型半导体的多数载流子是______，少数载流子是______。

10.半导体工艺流程中，通常先进行______工艺，再进行______工艺。

三、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述热氧化生长氧化层的主要化学反应方程式。

2.影响扩散速率的主要工艺参数有哪些？请至少列举三个。

3.光刻工艺中，常见的缺陷有哪些？简述其产生原因之一。

4.解释什么是离子注入的注入深度和注入剂量，并说明它们分别主要由哪个工艺参数决定。

四、计算题（共10分）

假设进行磷（P）离子注入，注入能量为50keV，硅的禁带宽度Eg=1.12eV。设硅的原子密度为5x1022atoms/cm3，平均原子量约为28amu。计算：

（1）该注入能量的电子在硅中对应的等效动能为多少电子伏特？

（2）如果注入的磷离子在硅中的投影深度（R?）为1.5μm，估算平均原子碰撞次数（MeanFreePath的倒数，单位：cm?1）。假设电子质量远小于离子质量，离子质量m≈1.67x10?2?g。注：实际计算需考虑背散射效应，此处仅作简化估算。

五、论述题（共15分）

论述氧化工艺在半导体器件制造中的重要性，并说明高温氧化和低温氧化在目的和特性上的主要区别。

试卷答案

一、选择题

1.B

2.B

3.C

4.C

5.C

6.C

7.C

8.B

9.A

10.C

解析思路

1.硅位于元素周期表第14族，是典型的非金属元素。

2.本征硅在室温和标准大气压下的带隙宽度约为1.12eV。

3.由于表面原子排列的各向异性，(100)晶面