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了解晶体管的结构和主要参数的意义及晶体管的伏安特性。
掌握晶体管的检测方法。
能正确描述晶体管的基本放大电路的组成、工作原理和性能指标的意义。掌握晶体管组成的开关电路的工作原理。
了解集成运算放大器基本概念。
能正确描述集成运算放大器的线性和非线性电路。
0
熟悉晶体管和集成运算放大器在汽车中的应用。
…0;
1.晶体管简介
发射极箭头方向就
是发射极正向电流
的方向。;
集电区:
面积最大
集电结
基极;
定位销ebc
3DG6正视图3DG6底视图
(a)金属外壳封装(b)塑料外壳封装
图5.3小功率晶体三极管外形电极;
(a)F型大功率晶体管(b)G型大功率晶体管
图5.4大功率晶体三极管外形电极;
2.电流分配与放大原理
Ig=Ig+Ic
I要比I大得多。
I的小变化引起Ic的大变化。;
三极管放大的外部条件
发射结正偏、集电结反偏;
图5.6NPN晶体管共发射极电路特性曲线测试电路;
(1)输入特性曲线
Is=f(Um)u
正常工作时发射结电压:;
(2)输出特性曲线
放大区
1c只受B的控制。
当发射结处于正向偏置、
集电结处于反向偏置时,
晶体管工作于放大状态。;
B0以下区域为截止
区,有1c≈0。
当发射结处于反向偏置、集
电结处于反向偏置时,晶体管工作于截止状态。;
饱和区
当UCE≤UBE时,晶体管工
作于饱和状态。
在饱和区,发射结处于正
向偏置,集电结也处于正;
解:管子的类型根据电压UgE的值确定,硅管|UBE|=0.6~0.8V,锗管UBE|=0.2~~0.3V。
管子的工作状态根据三个区的特点判定。
在图(a)中,UBE|=0.7V,管子为硅管。UgUE,发射结正偏;U?Uc,集电结反
偏,故管子处于放大状态。;在图(b)中,UBE|=0.7V,管子为硅管。U?UE,;
4.晶体管的主要参数
(1)电流放大系数β,β
直流电流放大系数交流电流放大系数;
eBo是由少数载流子的漂移运动所形成的电流,受温度的影响大。温度→oBo↑;
cEo受温度的影响大。
cEo↑,所以/c???相
应增加。三极管的温度特性较差。;
(4)集电极最大允许电流ICM
(5)集电极最大允许耗散功耗PCM
(6)集-射极反向击穿电压U(BR)CEO;
5.1.2复合管;
PNP
b1
b2=ie≈β?i?1;
5.2.1放大器的概述
输出信号的功率大于输
入信号的功率。
输出信号的波形与输入
信号的波形相同。;
1.对放大器的要求
(1)要有足够的放大倍数。
(2)要具有一定宽度的通频带。
(3)非线性失真要小。
(4)工作要稳定。
2.对输入信号的要求
3.对输出信号的要求;
共射放大器
共基放大器
共集放大器
射极输出器;
晶体管V--放大元件,
ic=βiB。
直流电源Vcc一为电路提供能量。并保证发射结正偏、集电结反偏。
集电极电阻R。一将变
化的电流转变为变化
的电压。;
基极电阻R?一提供大小
适当的基极电流,使放
大电路能够不失真地放大。
耦合电容C?、C?隔离输入、输出与放大电路直流的联系,同时使信号顺利输入、输出。;
放大电路的分析方法
静态分析
放大
电路
分析
动态分析;
Ic≠0
C?
Co
十
VT(Ico,UCEQ);
实现放大的条件
1、晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏,集电结反偏。
2、正确设置静态工作点,使整个波形处于放大区。
3、输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
输出回路将变化的集电极电流转化成变化
的集电极电压,经电容耦合只输出交流信号。;
B=1BQ;
估算法;
图5.15静态工作点选择不合适引起的失真波形;
【例5.2】如图5.12所示电路中,已知电源电压Vcc=12V,集电极电阻R.=2kΩ,基极电
阻R。=200kΩ,晶体管的放大倍数β=50。试求:放大电路的静态工作点。;
2.动态分析
图5.16动态分析;
iB=IBQ+ib
ic=Ico+ic
uc=UCEQ+Uce
RL;
微变等效电路法
微变等效电路:
把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电
路。即把非线性的晶体管线性化,等效为一个线性元件。
线性化的条件:
晶体管在小信号(微变量)情况下工作。因此
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