WO2025140564A1 光电二极管及其制造方法、电子元件 （上海联影微电子科技有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/140564A1

(51)国际专利分类号：

H10F71/00(2025.01)H10F77/14(2025.01)

H10F30/22(2025.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/143216

(22)国际申请日：2024年12月27日(27.12.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311846410.32023年12月28日(28.12.2023)CN

202311853316.02023年12月28日(28.12.2023)CN

(71)申请人：上海联影微电子科技有限公司(SHANGHAIUNITEDIMAGINGMICROELECTRONICSTECHNOLOGYCO.LTD.)[CN/CN];中国上海市嘉定区泰业街150弄4号楼1层、4层、5层201899(CN)。

(72)发明人：司华青(SI,Huaqing);中国上海市嘉定区泰业街150弄4号楼1层、4层、5层201899(CN)。

施长治(SHI,Changzhi);中国上海市嘉定区泰业街150弄4号楼1层、4层、5层201899(CN)。闫旭亮(YAN,Xuliang);中国上海市嘉定区泰业街150弄4号楼1层、4层、5层201899(CN)。陈年域(CHEN,Nianyu);中国上海市嘉定区泰业街150弄4号楼1层、4层、5层201899(CN)。

(74)代理人：北京华进京联知识产权代理有限公司(ACIPLAWOFFICES);中国北京市海淀区知春路7号致真大厦A1403100191(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

(54)Title:PHOTODIODEANDMANUFACTURINGMETHODTHEREFOR,ANDELECTRONICELEMENT

(54)发明名称：光电二极管及其制造方法、电子元件

1000

1000

形成外延层

形成延伸入外延层的调节结构

形成收集层

形成钉扎层

形成第一电极区

形成第二电极区

S101A

S102A

S103A

S104A

S105A

图1

S101AFormanepitaxiallayer

S102AFormanadjustmentstructureextendingintotheepitaxiallayerS103AFormacollectionlayer

S104AFormapinninglayer

S105AFormafirstelectrodearea

S106AFormasecondelectrodearea

WO2025/140564A1(57)Abstract:Thepresentapplicationrelatestoaphotodiodeandamanufacturingmethodtherefor,andanelectronicelement.Themethodformanufacturingthephotodiodecomprises:forminganadjustmentstructureextendingintoanepitaxiallayer,whereintheadjustmentstructurecomprisesapluralityofad