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半导体性单壁碳纳米管分离富集技术的研究与进展

一、引言

1.1研究背景与意义

自1991年日本科学家饭岛澄男发现碳纳米管以来，碳纳米管凭借其独特的结构和优异的性能，在材料科学、物理学、化学等多个领域引发了广泛关注。碳纳米管可看作是由石墨烯片层卷曲而成的无缝管状结构，根据石墨烯片层的层数，可分为单壁碳纳米管（Single-WalledCarbonNanotubes,SWCNTs）和多壁碳纳米管（Multi-WalledCarbonNanotubes,MWCNTs）。其中，单壁碳纳米管由于仅由一层石墨烯卷曲而成，展现出更为独特的物理化学性质。

单壁碳纳米管的电学性质与其原子结构密切相关，根据其手性矢量的不同，可分为金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管。半导体性单壁碳纳米管具有原子级厚度、表面无悬键的准一维管状结构和高电子迁移率等优异电学性质，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。在电子器件领域，由于现有的硅基芯片制造技术即将触碰其物理极限，而相对于传统的硅基CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势，IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，相比硅基技术，碳管技术具备15代的技术优势，半导体性单壁碳纳米管被视为10nm以下高性能、低功耗场效应晶体管沟道材料最有力候选，有望推动下一代集成电路的发展。同时，其在柔性电子器件中也极具应用前景，碳基材质的特殊性使得电路能够具备柔性，像创可贴一样柔软，可用于可穿戴设备、柔性显示屏等领域，满足人们对电子设备轻薄、可弯折的需求。在能源领域，半导体性单壁碳纳米管可应用于锂离子电池电极材料，提高电池的充放电性能和循环稳定性；在传感器领域，可用于制备高灵敏度的气体传感器、生物传感器等，实现对特定物质的快速、精准检测。

然而，目前传统制备方法获得的单壁碳纳米管通常是金属性和半导体性单壁碳纳米管的混合物。这种混合状态严重限制了半导体性单壁碳纳米管在上述诸多领域的应用。以电子器件应用为例，金属性单壁碳纳米管的存在会导致电路短路、信号干扰等问题，极大地影响了器件的性能和稳定性；在传感器应用中，杂质的存在会降低传感器的选择性和灵敏度，无法实现对目标物质的准确检测。因此，实现半导体性单壁碳纳米管的高效分离富集，获得高纯度的半导体性单壁碳纳米管，成为了推动其广泛应用的关键前提，对于促进材料科学、电子学、能源等多个领域的发展具有重要的理论和实际意义。

1.2国内外研究现状

半导体性单壁碳纳米管的分离富集技术一直是材料科学领域的研究热点，国内外众多科研团队投入大量精力开展相关研究，并取得了一系列重要成果。

在国外，美国、日本、韩国等国家在半导体性单壁碳纳米管分离富集技术研究方面起步较早。美国的科研团队在密度梯度离心法上取得了显著进展。例如，加州大学伯克利分校的研究人员通过改进密度梯度离心的介质和离心条件，能够将半导体性单壁碳纳米管从混合体系中有效分离出来，纯度达到了较高水平。他们巧妙地利用不同类型碳纳米管在密度上的细微差异，通过精心调配密度梯度介质，实现了金属性和半导体性单壁碳纳米管的较为精准分离。这种方法在实验室小批量制备高纯度半导体性单壁碳纳米管方面具有重要意义，为后续相关性能研究和应用探索提供了高质量的材料基础。

日本的科研人员则在化学修饰法分离半导体性单壁碳纳米管方面成果颇丰。如东京大学的研究小组发现，通过对特定的有机分子进行设计和合成，并使其与半导体性单壁碳纳米管发生特异性的相互作用，能够实现对半导体性单壁碳纳米管的选择性分离。他们利用有机分子与半导体性单壁碳纳米管之间独特的π-π相互作用或共价键合作用，将半导体性单壁碳纳米管从混合体系中“标记”出来，然后通过离心、过滤等常规手段实现分离。这种方法不仅为半导体性单壁碳纳米管的分离提供了新的思路，而且在保持碳纳米管结构完整性和电学性能方面具有一定优势。

韩国的科研团队在电泳法分离半导体性单壁碳纳米管方面做出了创新性工作。首尔国立大学的科研人员通过优化电泳条件，包括电场强度、电泳时间、缓冲溶液的组成等，提高了半导体性单壁碳纳米管在电场中的迁移率差异，从而实现了更高效的分离。他们深入研究了不同类型碳纳米管在电场中的迁移行为，揭示了影响迁移率的关键因素，为电泳法分离技术的进一步优化提供了理论依据。

在国内，近年来随着对半导体性单壁碳纳米管研究的重视程度不断提高，众多高校和科研机构在分离富集技术方面也取得了一系列令人瞩目的成果。清华大学的研究团队在超离心技术分离半导体性单壁碳纳米管方面进行了深入研究，通过自主研发的高性能超离心机和优化的离心工艺，成功实现了大规模、高纯度的半导体性单壁碳纳米管分离。他们的研究成果不仅在国内处于领先水平，在国际上也产生