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电子超纯水系统工程案例

一、项目背景与需求分析

在电子信息产业飞速发展的当下，半导体材料的纯度要求日益严苛，其中，超纯水作为生产过程中不可或缺的关键原材料，其水质直接影响产品的良率与性能。本案例中的客户为国内某知名先进半导体材料制造商，主要生产高精度晶圆及相关电子化学品。随着其新厂区扩建及产线升级，原有水处理系统已无法满足更高标准的生产需求，亟需一套全新的、稳定可靠的电子级超纯水系统。

客户对超纯水的核心需求如下：

1.产水水质：需达到SEMIC12标准中最高等级要求，具体指标包括电阻率（25℃）≥18.2MΩ·cm，总有机碳（TOC）≤5ppb，硅（以SiO?计）≤1ppb，微粒（≥0.1μm）≤1个/mL，以及严格控制各类阴阳离子、细菌、热源等污染物。

2.产水量：设计产水量需满足主生产线及辅助车间的综合用水需求，考虑到未来产能扩张，系统需具备一定的扩容能力。

3.运行稳定性：要求系统连续、稳定运行，年运行时间不低于8000小时，故障停机时间需控制在极低水平，以保障生产的连续性。

4.节能环保：在满足水质水量的前提下，需优化工艺设计，降低能耗与药耗，减少废水排放，符合国家绿色制造的产业政策。

二、系统设计与核心工艺

针对客户的具体需求及原水水质特点（原水为市政自来水，经初步检测，硬度、碱度、余氯及有机物含量中等），我们采用了“预处理+二级反渗透+EDI+终端精处理”的经典工艺路线，并结合多项先进技术进行优化。

（一）预处理系统

预处理的目的是去除原水中的悬浮物、胶体、有机物、余氯及部分硬度，为后续的深度脱盐工艺提供合格的进水。

1.多介质过滤器：采用石英砂与无烟煤的双层滤料，有效去除水中大颗粒悬浮物和胶体，降低SDI值。设计滤速控制在合理范围内，并设置反洗和正洗程序。

2.活性炭过滤器：选用高品质椰壳活性炭，主要吸附水中的余氯、部分有机物及异色异味，保护后续RO膜免受氧化剂损害。

3.软化器/阻垢剂投加系统：考虑到原水硬度，为防止RO膜结垢，本项目采用了“阻垢剂投加+保安过滤器”的方案。保安过滤器选用5μm精度的折叠滤芯，进一步去除水中的微小颗粒，确保RO膜的安全运行。

（二）深度脱盐系统

深度脱盐是超纯水制备的核心环节，旨在去除水中绝大部分的溶解盐类、有机物及微生物。

1.一级反渗透（RO）系统：采用高脱盐率的芳香族聚酰胺复合膜元件，设计回收率根据原水水质及膜厂家建议确定。系统配置了在线电导率、流量、压力等监测仪表，并设有自动冲洗和化学清洗装置。

2.二级反渗透（RO）系统：进水为一级RO产水，进一步去除残留的盐分和有机物。二级RO的操作压力、回收率等参数较一级RO有所调整，以追求更高的产水水质。

3.EDI（连续电除盐）系统：EDI技术是近年来发展成熟的深度脱盐技术，它利用电场作用，在离子交换树脂的协助下，可将RO产水进一步提纯至接近理论纯水的水平。本项目选用了模块化的EDI设备，具有无需酸碱再生、操作简便、水质稳定等优点。EDI产水电阻率可稳定在16-18MΩ·cm。

（三）终端精处理系统

为满足电子行业对超纯水的极致要求，终端精处理系统负责去除EDI产水中微量的TOC、硅、溶解氧及颗粒物等。

1.UV-TOC氧化装置：采用特定波长的紫外灯管，通过光氧化作用分解水中的TOC，将其转化为CO?和水，从而有效降低TOC含量。

2.抛光混床系统：作为终端精处理的核心，抛光混床内装填高纯度的阴、阳离子交换树脂，对EDI产水中残留的微量离子进行深度吸附，确保产水电阻率稳定达到18.2MΩ·cm。考虑到系统的连续性，抛光混床通常设置为一用一备或多台并联运行。

3.终端超滤/微滤系统：在抛光混床之后，设置终端超滤或0.2μm微滤装置，用于去除可能从抛光混床中带出的树脂碎片、胶体硅及微生物等，保障最终产水的微粒和微生物指标。

（四）辅助系统

1.化学清洗系统：为确保RO系统和EDI系统的长期稳定运行，设置了专用的化学清洗装置，可根据膜污染情况进行在线或离线清洗。

2.加药系统：包括阻垢剂、还原剂、NaOH（用于调节EDI进水pH）等加药装置，采用高精度计量泵，实现全自动投加。

3.自控系统：整个超纯水系统采用PLC控制系统，配备人机界面（HMI），实现全流程的自动化控制、参数监测、报警、数据记录与报表生成。系统具备良好的操作性和维护性，并可与客户的工厂管理系统（MES）进行数据对接。

三、项目实施与难点攻克

在项目实施过程中，我们严格遵循工程建设规范，并与客户保持密切沟通，确保项目顺利推进。

（一）原水水质波动应对

项目初期，原水水质出现了短暂的波动，主要表现为浊度和有机物含量升高。我们迅速调整了预处理系统的运行参数，如缩短多介质过滤器和活性炭过滤器的