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探索与Si相容的磁性半导体：自旋电子学材料的前沿研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自旋电子学（Spintronics），作为一门新兴且极具潜力的学科，近年来在学术界和工业界都引起了广泛关注。它突破了传统电子学仅利用电子电荷属性的局限，创新性地同时利用电子的电荷和自旋两种属性，在器件内部实现了电与磁的高效耦合，为新一代电子学的发展开辟了崭新道路。这种对电子自旋属性的深入挖掘与利用，使得自旋电子学在信息存储、处理和传输等领域展现出巨大的优势和潜力，有望引领下一轮信息产业革命。

在现代电子工业的宏伟版图中，硅（Si）无疑占据着基石般的基础地位。自半导体技术诞生以来，Si凭借其独特的物理性质、丰富的储量以及成熟的制备工艺，成为了构建各类电子器件的核心材料。从微小的晶体管到大规模集成电路，Si材料无处不在，支撑着现代信息技术的飞速发展。其卓越的电学性能使得电子能够在其中高效传输，为实现高速、低功耗的电子器件提供了可能。成熟的Si半导体工艺更是经过了数十年的发展与完善，具备高度的可重复性和精确性，能够实现纳米级别的器件制造，满足了不断增长的对小型化、高性能电子设备的需求。

然而，随着信息技术朝着超高速、超宽带和超大容量的方向迅猛发展，传统基于Si的半导体技术逐渐面临瓶颈。为了突破这些限制，实现电子学、光子学和磁学的深度融合，探索与Si相容的自旋电子学材料成为了当前研究的关键焦点。在众多自旋电子学材料中，磁性半导体因其独特的性质而备受瞩目。磁性半导体，是一种神奇的材料，它巧妙地融合了半导体特性和磁性特性，其电子轨道的相互作用能够被电场或磁场精准影响与控制。这种独特的性质使得磁性半导体在构建复杂微电子电路以及诸多领域中展现出巨大的应用潜力，如微磁数字逻辑电路、传感器、控制电路、多媒体处理器、医学成像和治疗设备等。

实现与Si相容的磁性半导体，对于半导体-自旋电子学的发展而言，具有举足轻重的关键意义。从材料兼容性角度来看，与Si的良好相容性意味着能够充分利用现有的成熟Si半导体工艺，大大降低了新材料集成的难度和成本。这不仅可以加快新型自旋电子器件的研发进程，还能提高生产效率和产品良率，为大规模产业化奠定坚实基础。在器件性能提升方面，磁性半导体的引入能够为Si基器件赋予全新的功能和特性，如实现自旋极化的载流子注入、高效的自旋操控以及灵敏的自旋检测等。这些功能将显著提升器件的性能，使其在速度、功耗、存储密度等关键指标上实现质的飞跃，从而满足未来信息技术对高性能器件的严苛要求。探索与Si相容的磁性半导体，对于推动半导体-自旋电子学的发展、突破现有技术瓶颈以及实现新一代信息技术的跨越式发展，都具有不可估量的重要意义。

1.2自旋电子学及磁性半导体概述

自旋电子学，又被称作磁电子学，是一门极具创新性的学科和技术，它的诞生为电子学领域带来了全新的研究视角和发展方向。这门学科巧妙地利用电子的自旋和磁矩，赋予了固体器件除电荷输运之外更为丰富的功能。在传统的电子学研究中，电子的自旋常常被视为一种内禀属性而未得到充分重视，仅仅关注其电荷属性来进行信息的处理和传输。而自旋电子学的出现，彻底改变了这一局面，它开创性地将电子的自旋作为信息储存和传输的重要方式，为电子学的发展注入了新的活力。这种创新性的思路使得自旋电子学在多个领域展现出了巨大的潜力和优势，如在磁学领域，它为研究磁性材料的特性和应用提供了新的方法；在半导体领域，有望开发出性能更优越的半导体器件；在量子信息领域，为实现量子计算和量子通信等提供了可能。

自旋电子学的发展历程是一个充满突破与创新的过程。其起源可以追溯到1980年，在这一年，科研人员在固态器件中首次发现了与电子自旋相关的电子输运现象，这一发现犹如一颗种子，为自旋电子学的发展埋下了希望的伏笔。随后的1985年，约翰逊和西尔斯比成功观察到铁磁金属能够将极化电子注入普通金属，这一成果为自旋电子学的研究开辟了新的道路，让人们看到了电子自旋在不同材料间传输的可能性。同年，艾伯特?费尔蒂等和彼得?格伦伯格发现了巨磁电阻效应，这一发现更是具有里程碑意义，它使得人们对电子自旋与材料电阻之间的关系有了更深入的理解，为自旋电子学的发展奠定了坚实的理论基础。此外，还可追溯到梅泽夫和特德罗的铁磁和超导体隧道实验，以及1970年祖利尔的磁隧道结，这些早期的研究和发现都为自旋电子学的诞生和发展积累了宝贵的经验和知识。1988年，法国科学家Fert小组在周期性多层膜中观察到，当施加外磁场时，其电阻变化率高达50%的巨磁电阻效应，这一重大突破使得自旋电子学开始受到广泛关注，吸引了众多科研人员投身于这一领域的研究。1995年，在三明治结构中观察到很大的隧道磁电阻现象，这一发现进一步丰富了自旋电子