CN110660738B 半导体装置的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110660738B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号201910440377.1

(22)申请日2019.05.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110660738A

(43)申请公布日2020.01.07

(30)优先权数据

62/692,0182018.06.29US16/371,4362019.04.01US

(51)Int.CI.

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

H10D62/17(2025.01)

H10D62/60(2025.01)H10D30/01(2025.01)

H10D30/62(2025.01)

(56)对比文件

US2017170321A1,2017.06.15

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司审查员唐朝东地址中国台湾新竹市

(72)发明人林哲宇陈建鸿萧文助

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司

72003

专利代理师黄艳

权利要求书4页说明书11页附图22页

(54)发明名称

半导体装置的形成方法

10(57)摘要

10

CN110660738B在一实施例中，装置包括：基板；第一半导体层，自基板延伸，且第一半导体层包括硅；第二半导体层，位于第一半导体层上，且第二半导体层包括硅锗，其中第二半导体层的边缘部分具有第一锗浓度，第二半导体层的中心部分具有第二锗浓度，第二锗浓度小于第一锗浓度，且第二半导体层的边缘部分包括第二半导体层的侧部与上表面；栅极堆叠，位于第二半导体层上；轻掺杂源极/漏极区，位于第二半导体层中，且轻掺杂源极/漏极区与栅极堆叠相邻；以及源极与漏极区，

CN110660738B

CN110660738B权利要求书1/4页

2

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

成长一半导体层于一基板上，该基板包括硅，且该半导体层包括硅锗；

蚀刻多个沟槽于该半导体层与该基板中，以形成含一第一部分与一第二部分的一鳍状物，该第一部分包括所述沟槽之间的该基板的一部分，该第二部分包括所述沟槽之间的该半导体层的一部分，该第一部分具有一第一宽度，而该第二部分具有一第二宽度；

在蚀刻所述沟槽于该半导体层与该基板中之后，在该鳍状物的上表面与侧部上进行一氢自由基处理制程，且在该氢自由基处理制程之后减少该鳍状物的上表面与侧部的硅浓度，并在该氢自由基处理制程之后减少该鳍状物的该第二部分的该第二宽度；以及

沿着该鳍状物的上表面与侧部形成一金属栅极堆叠。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤包括：

配送包括一第一气体与一第二气体的一气体源至该鳍状物的上表面与侧部上，该第一气体为氢气，且该第二气体为钝气；以及

产生一氢等离子体以转换该第一气体成多个氢自由基。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤还包括：

以一第一速率由所述氢自由基与该鳍状物的硅锗形成硅烷，以及

以一第二速率由所述氢自由基与该鳍状物的硅锗形成锗烷，且该第二速率小于该第一

速率。

4.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中进行该氢自由基处理制程的步骤还包括：

以该氢等离子体蚀刻该鳍状物的上表面与侧部。

5.如权利要求3所述的半导体装置的形成方法，其中在一蚀刻腔室中进行该氢自由基处理制程，且进行该氢自由基处理制程的步骤还包括：

在形成硅烷与锗烷时，自该蚀刻腔室移除硅烷与锗烷。

6.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的温度介于100℃至600℃之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的时间小于100秒。

8.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该氢自由基处理制程的压力介于

0.1Torr至6Torr之间。

9.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

形成多个轻掺杂源极/漏极区于该半导体层中，且该金属栅极堆叠形成于所述轻掺杂源极/漏极区之间，其中所述轻掺杂源极/漏极区的上侧部分具有一第一锗浓度，所述轻掺杂源极/漏极区的下侧部分具有一第二锗浓度，且该第二锗浓度小于该第一锗浓度。

10.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该