CN110364489B 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 （英飞凌科技股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110364489B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号201910283859.0

(22)申请日2019.04.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110364489A

(43)申请公布日2019.10.22

(30)优先权数据

102018108444.72018.04.10DE

102019100130.72019.01.04DE

(73)专利权人英飞凌科技股份有限公司

地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号(72)发明人J.P.康拉特W.贝格纳

R.埃斯特夫R.盖斯贝格尔

F.格拉泽J.希尔森贝克R.K.约施S.克拉姆普

A.韦尔克尔S.韦勒特

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001

专利代理师秦宝龙申屠伟进

(51)Int.CI.

H01L23/29(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

(56)对比文件

US2016276448A1,2016.09.22

US2015364587A1,2015.12.17

审查员刘欢

S.克里韦克G.卢皮纳楢桥浩

权利要求书3页说明书16页附图18页

(54)发明名称

半导体器件和用于形成半导体器件的方法

(57)摘要

CN110364489B一种半导体器件，其包括布置在半导体衬底上的接触金属化层、布置在半导体衬底上的无机钝化结构、以及有机钝化层。位于接触金属化层和无机钝化结构之间的有机钝化层垂直地位于

CN110364489B

CN110364489B权利要求书1/3页

2

1.一种半导体器件(100、200),包括：

接触金属化层(120),其被布置在半导体衬底(110)上；

无机钝化结构(130),其被布置在半导体衬底(110)上；以及

有机钝化层(140),其中该有机钝化层(140)的第一部分横向地位于接触金属化层(120)和无机钝化结构(130)之间，并且该有机钝化层(140)的第二部分位于无机钝化结构(130)的顶部上，并且其中该有机钝化层的第一部分垂直地位于比该有机钝化层的第二部分更靠近半导体衬底(110)的位置，其中该有机钝化层(140)的第三部分位于所述接触金属化层(120)的顶部上；

其中无机钝化结构(130)包括一个连续层，该一个连续层接触半导体衬底(110),或者只有电绝缘层位于该一个连续层和半导体衬底(110)之间，

其中该接触金属化层包括从该接触金属化层的上表面朝向半导体衬底延伸的第一边

缘侧，

其中该无机钝化结构包括从该无机钝化结构的上表面朝向半导体衬底延伸的第二边

缘侧，

其中第一边缘侧和第二边缘侧在该无机钝化结构和该接触金属化层之间限定横向间

隙，

其中该有机钝化层的第一部分延伸到该横向间隙中，并且

其中第二边缘侧是该无机钝化材料的最接近该接触金属化层的表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)的厚度为至少500nm。

3.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)至少包括厚度为至少300nm且至多5μm的氧化硅层(231)。

4.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)至少包括厚度为至少300nm且至多900nm的氮化物层(232)。

5.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)和所述接触金属化层(120)之间的横向距离(d1)大于所述接触金属化层(120)的厚度(t1)。

6.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)与所述接触金属化层(120)之间的横向距离(d1)小于所述无机钝化结构(130)的宽度(w1)。

7.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)与半导体衬底(110)的边缘(202)之间的横向距离(d2)至少为10μm。

8.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中所述无机钝化结构(130)的厚度和/或材料被配置为使得在半导体衬底(110)处形成的电气结构的阻塞状态下所述无机钝化结构(130)的表面处的电场至少为500kV/cm。

9.根据前述权利要求1-2中的一项所述的半导体器件，其中