埋层硅外延片标准立项修订与发展报告.docx

《埋层硅外延片》产品标准立项与发展研究报告

EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationDevelopmentof*SiliconEpitaxialWaferswithBuriedLayers*

摘要

本报告旨在系统阐述《埋层硅外延片》产品标准立项的背景、意义、核心内容及其对产业发展的重要价值。随着全球半导体产业向中国加速转移，以及我国在集成电路领域自主可控战略的深入推进，埋层硅外延片作为制造高压、高功率及高密度集成电路的关键基础材料，其质量一致性、技术先进性与产业规范化水平直接关系到下游芯片的性能与可靠性。当前，国内该产品虽已形成百亿级市场规模并实现稳定批量供应，但长期缺乏统一的国家或行业标准，导致产品质量评判依据不一，难以与国际先进水平（如SEMIM61标准）对标，制约了产业的健康发展和国际竞争力提升。

本报告详细分析了标准制定的紧迫性，指出其不仅是落实《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》等国家战略的具体举措，也是规范市场、引导技术升级、保障供应链安全的必然要求。报告明确了标准的主要技术内容，涵盖产品分类、关键性能指标（如图形漂移/畸变、电学参数、缺陷控制等）、试验方法与质量检验规则。标准的制定将填补国内空白，为产品贸易、质量仲裁与监督提供权威技术依据，对提升我国半导体材料整体技术水平、支撑集成电路产业高质量发展具有里程碑意义。

关键词：埋层硅外延片；半导体材料；集成电路；标准制定；技术规范；图形保真；电学参数

Keywords:SiliconEpitaxialWaferswithBuriedLayers;SemiconductorMaterials;IntegratedCircuits;StandardDevelopment;TechnicalSpecification;PatternFidelity;ElectricalParameters

正文

一、立项背景与战略意义

埋层硅外延工艺是一项关键的半导体制造技术，指在预先制备有掺杂埋层电路的硅衬底上，通过化学气相沉积（CVD）等工艺，外延生长一层具有特定导电类型、电阻率、厚度及完美晶格结构的硅单晶薄膜。该技术的核心价值在于能够通过选择性外延生长，将高浓度掺杂剂精准植入器件特定区域，从而有效降低器件串联电阻、简化隔离工艺、优化器件性能（如提高击穿电压、降低饱和压降）。因此，埋层硅外延片被广泛应用于制造双极型集成电路、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、高压集成电路及部分高密度逻辑电路，是高端半导体器件不可或缺的衬底材料。

与在普通抛光硅片上进行的常规外延不同，埋层硅外延工艺面临独特的技术挑战。其生产过程必须严格考虑对衬底上已有精细埋层电路图形的保护，最大限度地减少外延生长过程中因温度、气流等因素导致的图形畸变与横向/纵向漂移。这些图形失真会直接影响后续光刻工艺的对准精度，最终导致器件性能退化或失效。因此，对埋层硅外延片的评价体系，除了常规的外延层厚度均匀性、电阻率均匀性、缺陷密度外，图形保真度（包括图形畸变量和漂移量）成为其最核心、最具特色的关键技术指标。

从国家战略层面看，本标准的立项高度契合国家推动集成电路产业发展的系列政策导向。国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》（2020年）为产业发展提供了顶层设计与政策红利。国家标准化管理委员会《2021年国家标准立项指南》明确要求加强“关键基础材料”等强基类标准研制。《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域具体提出要开展“硅衬底上同/异质外延关键技术研究”。此外，《装备制造业标准化和质量提升规划》也强调需完善集成电路标准体系，加强新型电子材料标准研究。因此，制定《埋层硅外延片》产品标准，是贯彻落实国家战略、夯实产业基础、突破材料瓶颈的重要实践。

从产业经济规模看，根据中国电子材料行业协会半导体材料分会2020年的统计数据，我国埋层硅外延片年产量已高达约1560万片（折合6英寸约240万片，8英寸约720万片，12英寸约600万片）。以保守单价估算，其年产值规模已超过500亿元人民币，形成了一个体量巨大且持续增长的市场。国内主流半导体材料企业已具备稳定批量的供应能力。同时，全球知名的IDM和Fabless公司越来越多地将制造环节布局于中国，对本地化、高标准、高质量的关键材料提出了迫切需求。然而，与此繁荣市场形成鲜明对比的是，国内长期以来缺乏统一的埋层硅外延片产品标准，而国际半导体设备与材料协会（SEMI）发布的SEMIM61-0612《SpecificationforSiliconEpitaxialWaferswithB