Infineon 英飞凌 模块 FZ1500R33HE3 IHM-B 数据表.pdf

Infineon 英飞凌 模块 FZ1500R33HE3 IHM-B 数据表.pdf

FZ1500R33HE3

IHM-B模块

IHM-B模块采用第三代高速沟槽栅/场终止IGBT和第三代发射极控制二极管

特性

•电气特性

-VCES=3300V

-ICnom=1500A/ICRM=3000A

-无与伦比的坚固性

-高直流电压稳定性

-高短路能力

-低开关损耗

-低VCEsat

-T=150°C

vjop

-VCEsat带正温度系数

•机械特性

-碳化硅铝(AlSiC

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