多功能CMOS-MEMS集成压电平台及其应用.pdfVIP

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多功能CMOS‑MEMS集成压电平台

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J.M.Tsai,M.Daneman,B.Boser,D.Horsley,M.Rais‑Zadeh,H.Y.Tang,Y.Lu,O.

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RozenF.Liu1,111M.Lim和F.AssaderaghiInvenSenseInc.,SanJose加利福尼亚

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伯克利传感器和执行器，加利福尼亚大学伯克利分校，加利福尼亚州，伯克利传感器和执行器中

心，加利福尼亚大学分校，加利福尼亚州，和4电气工程与计算机科学系，密歇根大学安娜堡分校，

指定厚度。然后通过硅形成一个定义MEMS和CMOS基板之

我们介绍了InvenSense制造平台向压电转换的扩间间隙的支撑结构。

展。新CMOS‑MEMS集成压电平台继承了其前

pMUT

身的晶圆键合优势，利用现有的基础设施，并适Port

用于广泛的应用领域。

制造平台，MEMS，压电，CMOS集成

引言

CMOS‑MEMS集成已广泛应用于集成加速度和速

率传感器的商业化。

随着传感器在个人设备中的采用率提高，对种

类的转换机制的需求也在增加。尽管传统的静电转换支

Bond

持广泛的设备，但对压电转换的正在增加，以补充Pad

基于电容的技术。为满足这一需求，我们提出了一种新图1：完成的pMUT阵列与CMOS[1]的键合

的集成平台，通过引入压电层到InvenSense

感器（图2a）。沉积并图案化Ge层，随后进行DRIE器

CMOS‑MEMS工艺中。本文还介绍了四种演示车辆，

件硅结构定义（图2b）。由于不需要牺牲释放蚀刻工艺，

以展示该平台的灵活性。图1[1]展示了在此平台上制造

工艺复杂度大大降低。然后将Ge沉积的MEMS基板与

的一个包含多个压电微机械超声换能器（pMUT）的芯

CMOS晶圆通过共晶键合连接，可选地在底部形成空腔

片，用于手势识别。

（图2c）。最后，MEMS基板的顶部被金属化并部分切

割以露出键合焊盘，用于测试和封装（图2d）。

可选的附加模块可用于在MEMS手柄中打开端口，

制造平台以便在需要时使设备于外部环境。虽然这是一个强

InvenSensetformInvenSe的关键在于大且灵活的平台，但工艺仅允许静电/电容转换。

nse惯性传

sor平台采用AlGeCMOS‑MEM键合技术，其中

MEMS上的Ge层与CMOS铝金属化层[2]进行共晶Piezoelectrictform随着技术的进步

键合。这种键合电气连接、真空密封和机械支撑，

通过在材料