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2025年大学（微电子科学与工程）半导体制造技术毕业综合测试试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题，共40分）

每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。(总共20题，每题2分，在每题给出的四个选项中，选出最符合题目要求的一项)

1.以下哪种半导体制造工艺是用于在芯片表面形成导电线路的？

A.光刻

B.掺杂

C.蚀刻

D.化学机械抛光

答案：A

2.在半导体制造中，光刻技术的分辨率主要取决于：

A.光源波长

B.光刻胶的厚度

C.曝光时间

D.显影液的浓度

答案：A

3.掺杂半导体时，向硅中掺入硼元素会形成：

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征半导体

D.绝缘半导体

答案：B

4.化学机械抛光主要用于：

A.去除芯片表面的杂质

B.提高芯片表面的平整度

C.形成半导体器件的有源区

D.进行光刻前的表面处理

答案：B

5.以下哪种蚀刻技术具有较高的选择性？

A.湿法蚀刻

B.干法蚀刻

C.反应离子蚀刻

D.等离子体蚀刻

答案：C

6.半导体制造中，用于存储数据的器件是：

A.晶体管

B.电阻器

C.电容器

D.电感器

答案：C

7.集成电路制造中，多层布线技术的目的是：

A.减小芯片面积

B.提高电路速度

C.降低功耗

D.以上都是

答案：D

8.以下哪种光刻技术可以实现更高的分辨率？

A.紫外光刻

B.深紫外光刻

C.极紫外光刻

D.电子束光刻

答案：D

9.在半导体制造过程中，退火工艺的作用是：

A.消除晶格缺陷

B.提高掺杂浓度

C.增强光刻胶的附着力

D.降低芯片温度

答案：A

10.半导体芯片封装的主要目的是：

A.保护芯片

B.便于芯片散热

C.实现芯片与外界的电气连接

D.以上都是

答案：D

11.以下哪种材料常用于半导体制造中的绝缘层？

A.二氧化硅

B.硅

C.铜

D.铝

答案：A

12.半导体制造中，离子注入技术可以精确控制：

A.掺杂元素的种类

B.掺杂元素的浓度

C.掺杂区域的位置

D.以上都是

答案：D

13.光刻胶在曝光后发生的变化是：

A.溶解度增加

B.溶解度降低

C.颜色改变

D.硬度降低

答案：B

14.以下哪种半导体制造工艺用于制造晶体管中的栅极？

A.光刻

B.蚀刻

C.沉积

D.以上都有

答案：D

15.在半导体制造中，用于测量芯片尺寸和器件参数的设备是：

A.光刻机

B.电子显微镜

C.探针台

D.刻蚀机

答案：C

16.半导体制造过程中，晶圆的清洗工艺主要是为了去除：

A.表面的灰尘

B.金属杂质

C.有机物杂质

D.以上都是

答案：D

17.以下哪种技术可以提高半导体器件的集成度？

A.缩小晶体管尺寸

B.增加布线层数

C.改进封装技术

D.以上都是

答案：D

18.半导体制造中，用于形成金属互连的工艺是：

A.光刻

B.蚀刻

C.沉积

D.化学机械抛光

答案：C

19.光刻过程中，曝光剂量的控制对光刻效果的影响主要体现在：

A.分辨率

B.线条宽度

C.光刻胶的残留

D.以上都是

答案：D

20.在半导体制造中，用于检测芯片内部缺陷的技术是：

A.光学检测

B.电子束检测

C.激光扫描检测

D.以上都是

答案：D

第II卷（非选择题，共60分）

（一）填空题（共10分）(总共5题，每题2分)

1.半导体制造中常用的光刻光源有紫外光、______和极紫外光。

答案：深紫外光

2.掺杂半导体分为N型半导体和______半导体。

答案：P型

3.化学机械抛光中使用的磨料通常是______。

答案：二氧化硅

4.半导体芯片制造的主要工艺流程包括晶圆制造、______和芯片封装。

答案：芯片制造

5.集成电路中的基本逻辑门包括与门、或门、非门和______。

答案：与非门

（二）简答题（共20分）(总共4题，每题5分)

1.简述光刻技术的基本原理。

答案：光刻技术利用光刻胶对特定波长光的感光特性，通过掩膜版将芯片设计图案转移到光刻胶上，再经过显影等工艺将图案转移到晶圆表面，用于定义芯片的各种功能区域，如晶体管、布线等。

2.说明掺杂半导体的作用。

答案：掺杂半导体通过引入杂质原子改变半导体的电学性能。N型半导体通过掺入施主杂质提供电子，增强导电能力；P型半导体通过掺入受主杂质产生空穴，同样提高导电性能，从而实现对半导体器件电学特性的精确调控。

3.简述化学机械抛光的工艺流程。

答案：首先将晶圆固定在抛光设备上，在晶圆表面均匀涂抹含有磨料的抛光液，然后通过抛光头对晶圆施加一定压力并进行旋转，同时抛光垫也进行相对运动，利用化学腐蚀和机械摩擦的协同作用，去除晶圆表面的微小凸起，实现表面的平整化。

4.解释集成电路制造中多层布线的必要性。